[发明专利]信号保持/反射层可记录/可擦除光介质无效

专利信息
申请号: 90108155.8 申请日: 1990-09-28
公开(公告)号: CN1051446A 公开(公告)日: 1991-05-15
发明(设计)人: 布赖恩·K·克拉克 申请(专利权)人: 坦迪公司
主分类号: G11B7/24 分类号: G11B7/24
代理公司: 上海专利事务所 代理人: 吴淑芳
地址: 美国得*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 信号 保持 反射层 记录 擦除 介质
【权利要求书】:

1、一种记录介质,包含:

a)一基片;

b)一靠近所述基片的膨胀区域,在有写入波长辐射时该膨胀区域膨胀;和

c)一靠近所述膨胀区域的保持/反射区域,所述的保持/反射区域包含有低熔点温度的金属或金属合金。

2、一种写入和擦除数据的光学记录介质,包含:

a)一基片

b)一靠近所述基片的膨胀区域,在有写入波长辐射时该膨胀区域膨胀;

c)一靠近所述膨胀区域的保持/反射区域,所述的保持/反射区域包含有低熔点温度的金属或金属合金;和

d)一靠近所述保持/反射区域的保护层,所述保护层使所述保持/反射层靠着所述膨胀区域。

3、权利要求1或2所述的记录介质,其特征在于所述的保持/反射区域包含溶点温度在80℃到200℃范围内的金属或金属合金。

4、如权利要求3所述的记录介质,其特征在于所述的保持/反射区域包含基本上最纯的铟。

5、如权利要求3所述的记录介质,其特征在于所述的保持/反射区域包含铟和铋的合金。

6、如权利要求3所述的记录介质,其特征在于所述的保持/反射层区域包含低共熔的铋合金或低共熔的铟合金。

7、如权利要求6所述的记录介质,其特征在于所述的低共熔合金包含铋和选自下面一组金属之一:锡,镉,铅和铟。

8、如权利要求3所述的记录介质,其特征在于所述的膨胀区域的软化温度低于30℃,热膨胀系数的大于1×104/℃

9、如权利要求8所述的记录介质,其特征在于所述的膨胀区域层包含选自下列一组基体树脂:

环氧树脂、聚氨基甲酸乙酯、聚合物、无定形聚合物、橡胶、天然橡胶、丁基胶、硅橡胶、丁苯胶、乙酸-丁酸纤维素、聚乙烯醇缩丁醛、丙烯酸聚合物、聚醋酸乙烯酯、聚硅氧烷树脂、苯乙烯-丁二烯共聚物、氯乙烯-醋酸乙烯共聚物,及其混合物。

10、如权利要求9所述的记录介质,其特征在于所述的膨胀区域进一步包含固化剂。

11、如权利要求10所述的记录介质,其特征在于所述的膨胀区域包含一种混合物,该混合物是大约等量的双酚A/-表氯醇环氧树脂和表氯醇-二聚物脂肪酸-基的环氧树脂一起与非化学计量的固化剂的混合物。

12、如权利要求11所述的记录介质,其特征在于所述固化剂是多元胺与二元脂肪酸的加合物。

13、如权利要求10所述的记录介质,其特征在于所述膨胀层包含有非化学计量的脂肪族多元胺加合物的双酚A/-表氯醇环氧树脂的混合物。

14、一种在介质上写入数据的方法,该方法包含下列各步:

a)把光直接射向介质,所述介质包括一膨胀区域和一保持/反射区域,光对所述膨胀区域加热,引起其膨胀;

b)在所述金属保持/反射区域接收一来自所述澎胀区域的膨胀部分;和  c)把光从所述介质上移开,使所述保持/反射区域的膨胀部分保持膨胀状态。

15、如权利要求14所述的方法,其特征在于所述保持/反射区域包含熔点约80℃到200℃的金属或金属合金。

16、如权利要求15所述的方法,其特征在于所述的保持/反射区域包含基本上最纯态的铟。

17、如权利要求15所述的方法,其特征在于所述的保持/反射区域包含铟和铋合金。

18、如权利要求15所述的方法,其特征在于所述的保持/反射区域包含低共熔铋合金或低共熔铟合金。

19、如权利要求18所述的方法,其特征在于所述的低共熔合金包含铋和选自下面一组金属之一锡,镉,铅和铟。

20、如权利要求14所述的方法,其特征在于所述的膨胀区域的软化温度低于30℃,热膨胀系数约大于1×10-4/℃。

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