[发明专利]字可擦埋设位线EEPROM无效
| 申请号： | 90104790.2 | 申请日： | 1990-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN1051448A | 公开（公告）日： | 1991-05-15 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯L·佩特森 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04 |
| 代理公司： | 上海专利事务所 | 代理人： | 颜承根 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 字可擦 埋设 eeprom | ||
1、一种由工作于行列排列方式的存储单元组成可擦字的电可擦可编程只读存储电路，其特征在于，每行上述存储单元包含m个擦字晶体管，每个擦字晶体管都电连接到一行中的n个上述存储单元并在擦除周期内控制上述的n个存储单元，其中m为正整数，n为被m除过的在上述行中的单元数。
2、如权利要求1所述的电路，其特征在于m＞1。
3、如权利要求1所述的电路，其特征在于n为8或16或32等。
4、如权利要求1所述的电路，其特征在于每个上述存储单元包含一通路晶体管和一存储晶体管。
5、如权利要求4所述的电路，其特征在于
每个上述擦字晶体管都从它的一源/漏区电连接到n个上述存储晶体管的控制栅极。
6、如权利要求5所述的电路，其特征在于每个上述擦字晶体管均从其栅极电连接到n个上述通路晶体管的栅极。
7、如权利要求4所述的电路，其特征在于每个上述通路晶体管和每个上述存储晶体管均具有一对源/漏区;
每个上述源/漏区包含一埋在一厚隔离区下面的埋设的、掺杂导电区域;及
至少有一些上述埋设的、掺杂导电区域还包含上述电路的位线。
8、如权利要求7所述的电路，其特征在于上述埋设的，掺杂导电区域为单晶硅衬底的n+掺杂区。
9、如权利要求7所述的电路，其特征在于
每个上述擦字晶体管还包含一对源/漏区;
上述擦字晶体管的每个上述源/漏区还包含埋在一厚隔离区下面的一埋设的、掺杂的导电区;及
每个上述擦字晶体管的一个上述源/漏区包含上述电路的一擦字线。
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