[其他]光响应阵列

权利要求书

1、一种感测多个位置中的每一位置处电磁辐射强度的阵列，它包括：

多个电响应于入射辐射的光响应二极管(1、3、5、7、9)，每一所述光响应二极管具有第一极性的第一端和与所述第一极性相反的第二极性的第二端；以及

多个在一方向比另一方向更易导电且基本上不电响应于入射辐射的非光响应二极管(11、13、15、17、19)，每一所述非光响应二极管具有所述第一极性的第三端和所述第二极性的第四端；

所述阵列的特征在于：所述那些光响应二极管的所述第一端均电连接在一起以形成所述阵列的一端(21)，而所述那些光响应二极管的每一所述第二端电连接到那些所述非光响应二极管中一个的所述第四端，所述多个非光响应二极管被同极性串联地电连接，在所述非光响应二极管串联连接串的一端的所述非光响应二极管的所述第三端，形成所述阵列的第二端(23)。

2、根据权利要求1的装置，其中所述多个光响应二极管和所述多个非光响应二极管中至少一种所述二极管包括单晶二极管。

3、一种感测多个位置中的每一位置处电磁辐射强度的单片阵列（150），它包括：

一块电绝缘基片（151）;

多个设置在所述基片上的导电材料段（154）;

至少一个设置在每一所述导电材料段上的光响应二极管（155），每一所述光响应二极管具有第一极性的第一端和与所述第一极性相反的第二极性的第二端，每一所述光响应二极管的所述第二端与它所在的所述导电材料段有着电接触;

至少一个设置在每一所述导电材料段上的非光响应二极管（155），每一所述非光响应二极管具有所述第一极性的第三端和所述第二极性的第四端，每一所述非光响应二极管的所述第四端与它所在的所述导电材料段有着电接触;

所述阵列的特征在于：一条第一导电互连线（158）设置在那些所述光响应二极管的每一所述第一端上，将所有所述第一端电连接在一起，以形成所述阵列的一端;以及多条第二导电互连线（159），每一条被设置在一所述段上的一所述非光响应二极管和在另一所述段上，所述那些第二互连线将那些所述非光响应二极管以同极性串联方式电连接，而所述第二互连线之一形成所述阵列的第二端。

4、根据权利要求1或3的阵列，其中，所述非光响应二极管包括：第二光响应二极管以及将所述那些第二光响应二极管与光隔离开的装置。

5、根据权利要求1或3的阵列，其中，所述多个光响应二极管和所述多个非光响应二极管中至少一种所述二极管包括异质结二极管。

6、根据权利要求5的阵列，其中，所述异质结二极管为硫化镉和含碲化镉材料的异质结。

7、根据权利要求1或3的阵列，其中，所述多个光响应二极管和所述多个非光响应二极管中至少一种所述二极管包括非晶硅二极管。

8、根据权利要求1或3的阵列，其中，那些所述光响应二极管和非光响应二极管选自由结型二极管、肖特基二极管、金属绝缘半导体二极管、背对背二极管和整体势垒二极管组成的二极管组。

9、一种感测多个位置中的每一位置处电磁辐射强度的单片阵列，它包括：

具有第一表面和第一类型导电率的半导体基片（201），所述基片形成所述阵列的第一端;

在所述基片内、并可从所述第一表面而进入的多个第一区（202），所述第一区具有与所述第一类型导电率相反的第二类型导电率，并与所述基片形成第一光响应二极管;

在每一所述多个第一区中、且可从所述第一表面而进入的第二区（203），那些所述第二区具有所述第一类型导电率并形成第二光响应二极管;

所述阵列的特征在于：多条导电互连线（207）的每一条将在所述第一区中的一个所述第二区连接至另一个不同的所述第一区，而所述互连线之一形成所述阵列的第二端;以及将所述第二区与辐射隔离开的辐射屏蔽装置（207）。

10、根据权利要求9的阵列，其中，所述辐射屏蔽装置包括所述互连线。