[其他]光响应阵列无效
申请号: | 88102359 | 申请日: | 1988-04-16 |
公开(公告)号: | CN88102359A | 公开(公告)日: | 1988-12-14 |
发明(设计)人: | 米罗斯拉夫·翁德里斯 | 申请(专利权)人: | 斯坦科尔公司 |
主分类号: | H01J40/14 | 分类号: | H01J40/14;H01J47/00;H01L27/14 |
代理公司: | 中国专利代理有限公司 | 代理人: | 林长安,程天正 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 响应 阵列 | ||
1、一种感测多个位置中的每一位置处电磁辐射强度的阵列,它包括:
多个电响应于入射辐射的光响应二极管(1、3、5、7、9),每一所述光响应二极管具有第一极性的第一端和与所述第一极性相反的第二极性的第二端;以及
多个在一方向比另一方向更易导电且基本上不电响应于入射辐射的非光响应二极管(11、13、15、17、19),每一所述非光响应二极管具有所述第一极性的第三端和所述第二极性的第四端;
所述阵列的特征在于:所述那些光响应二极管的所述第一端均电连接在一起以形成所述阵列的一端(21),而所述那些光响应二极管的每一所述第二端电连接到那些所述非光响应二极管中一个的所述第四端,所述多个非光响应二极管被同极性串联地电连接,在所述非光响应二极管串联连接串的一端的所述非光响应二极管的所述第三端,形成所述阵列的第二端(23)。
2、根据权利要求1的装置,其中所述多个光响应二极管和所述多个非光响应二极管中至少一种所述二极管包括单晶二极管。
3、一种感测多个位置中的每一位置处电磁辐射强度的单片阵列(150),它包括:
一块电绝缘基片(151);
多个设置在所述基片上的导电材料段(154);
至少一个设置在每一所述导电材料段上的光响应二极管(155),每一所述光响应二极管具有第一极性的第一端和与所述第一极性相反的第二极性的第二端,每一所述光响应二极管的所述第二端与它所在的所述导电材料段有着电接触;
至少一个设置在每一所述导电材料段上的非光响应二极管(155),每一所述非光响应二极管具有所述第一极性的第三端和所述第二极性的第四端,每一所述非光响应二极管的所述第四端与它所在的所述导电材料段有着电接触;
所述阵列的特征在于:一条第一导电互连线(158)设置在那些所述光响应二极管的每一所述第一端上,将所有所述第一端电连接在一起,以形成所述阵列的一端;以及多条第二导电互连线(159),每一条被设置在一所述段上的一所述非光响应二极管和在另一所述段上,所述那些第二互连线将那些所述非光响应二极管以同极性串联方式电连接,而所述第二互连线之一形成所述阵列的第二端。
4、根据权利要求1或3的阵列,其中,所述非光响应二极管包括:第二光响应二极管以及将所述那些第二光响应二极管与光隔离开的装置。
5、根据权利要求1或3的阵列,其中,所述多个光响应二极管和所述多个非光响应二极管中至少一种所述二极管包括异质结二极管。
6、根据权利要求5的阵列,其中,所述异质结二极管为硫化镉和含碲化镉材料的异质结。
7、根据权利要求1或3的阵列,其中,所述多个光响应二极管和所述多个非光响应二极管中至少一种所述二极管包括非晶硅二极管。
8、根据权利要求1或3的阵列,其中,那些所述光响应二极管和非光响应二极管选自由结型二极管、肖特基二极管、金属绝缘半导体二极管、背对背二极管和整体势垒二极管组成的二极管组。
9、一种感测多个位置中的每一位置处电磁辐射强度的单片阵列,它包括:
具有第一表面和第一类型导电率的半导体基片(201),所述基片形成所述阵列的第一端;
在所述基片内、并可从所述第一表面而进入的多个第一区(202),所述第一区具有与所述第一类型导电率相反的第二类型导电率,并与所述基片形成第一光响应二极管;
在每一所述多个第一区中、且可从所述第一表面而进入的第二区(203),那些所述第二区具有所述第一类型导电率并形成第二光响应二极管;
所述阵列的特征在于:多条导电互连线(207)的每一条将在所述第一区中的一个所述第二区连接至另一个不同的所述第一区,而所述互连线之一形成所述阵列的第二端;以及将所述第二区与辐射隔离开的辐射屏蔽装置(207)。
10、根据权利要求9的阵列,其中,所述辐射屏蔽装置包括所述互连线。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于斯坦科尔公司,未经斯坦科尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/88102359/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 光学系统、光检测器、光电倍增器检测器及其系统-201390001065.7
- U·斯坦纳;D·R·玛沙 - 魄金莱默保健科学有限公司
- 2013-11-18 - 2016-11-30 - H01J40/14
- 本文所述的某些实施方案涉及光学系统、光检测器、光电倍增器检测器及其系统。在一些实例中,所述光检测器可包括多个倍增器电极,其中所述倍增器电极中的一个或多个被联接到静电计。在其它配置中,每个倍增器电极可联接到相应静电计。还描述了使用所述光检测器的方法。
- 带有具有增强灵敏度的光传感器的系统-201080047708.2
- M.阿斯哈里;冯大增 - 科途嘉光电公司
- 2010-09-16 - 2013-04-17 - H01J40/14
- 光学器件包括基底上的波导和光传感器。该光传感器包括脊,该脊从位于脊的相对面上的平板区域延伸。脊包括倍增层和吸收层。吸收层布置为接收来自波导的光信号中的至少一部分。另外,吸收层响应于接收光信号的光子产生空穴和电子对。倍增层布置为接收在吸收层中产生的电子且响应于接收电子产生附加电子。
- 以纳米线为基础的被动式像素图像传感器-201080043180.1
- 穆尼布·沃贝尔;俞荣俊 - 立那工业股份有限公司
- 2010-10-05 - 2012-07-11 - H01J40/14
- 一种成像装置,其包含适用于大小小于500纳米的小型物体成像的复数个光敏元件。每个光敏元件形成一被动式像素,该被动式像素包括至少一纳米线结构光电探测器及一开关晶体管。该纳米线结构光电探测器是经组态以接收光子及储存光子所产生的电荷并表现为一波导。该开关晶体管是形成在基板中或纳米线的相同主体上,且是经组态以使得该纳米线中由光子所产生的电荷可在其关闭时积累且在其开启时从该纳米线中排尽。像素阵列是经组态通过配置为便士的圆形图案而允许高解析度成像。
- 用于超快低功率光电探测器的动态阻抗接收器电路-200880130870.3
- D·A·法塔尔;Q·徐;M·菲奥伦蒂诺;R·G·博索莱尔 - 惠普开发有限公司
- 2008-08-27 - 2011-07-20 - H01J40/14
- 一种光电探测器接收器电路,包括:用于接收光信号并把该光信号转换成电流的光电探测器;和连接到该光电探测器的动态阻抗电路;其中所述动态阻抗电路被配置成在充电阶段期间具有第一阻抗且在放电阶段期间具有第二阻抗,所述第一阻抗与第二阻抗相比具有更慢的衰减时间。
- 通过同时的尺寸/荧光测量进行的病原体检测-200880126481.3
- 埃里克·H·比妮;格雷戈里·斯科特·莫里斯 - 百维吉伦特系统有限公司
- 2008-12-15 - 2011-01-05 - H01J40/14
- 一种用于检测流体中的病原体和颗粒的方法和装置,其中确定单一颗粒的颗粒尺寸和固有荧光,包括:试样盒;在试样盒的一侧的光源,用于发送聚焦的光束通过试样,由此部分光束被存在于试样区域中的各种尺寸的颗粒朝各种角度散射;位于光路中的颗粒尺寸检测器,用于检测前向散射的光的一部分;一对荧光检测器,定位为偏离光束的轴线;以及一对椭球镜,被定位为使得入射颗粒流和光束的交叉点在每个椭球体的一个焦点处,并且所述一对荧光检测器中的一个位于另一焦点处。
- 密封发光二极管组件及其制造方法-200880010715.8
- 杰弗里·诺尔;巴比·库希克·萨哈;王新 - 照明有限责任公司
- 2008-03-07 - 2010-03-10 - H01J40/14
- 本发明提供了一种光电子器件组件,包括电路板和设置在电路板上并与电路板电连接的光电子器件。环形垫圈设置在电路板上并围绕光电子器件。密封剂设置在电路板的上并密封该至少一部分,并且还覆盖至少环形垫圈的外环形部分。密封剂未设置在光电子器件上。在本发明提供的方法中,将光电子器件设置在电路板上,所述设置包括将光电子器件与电路板电连接。将环形垫圈设置在电路板上,以便围绕光电子器件。用密封剂密封电路板,密封剂也覆盖至少环形垫圈的外环形部分,但是未覆盖光电子器件。
- 具有在温度变化时稳定雪崩光电二极管增益的扩展范围的现场功率监控器-200680032741.1
- S·卡库;V·吉洪诺夫 - 阿列德·泰莱西斯公司
- 2006-09-07 - 2008-09-03 - H01J40/14
- 本发明公开了一种具有温度补偿器的在线监控设备、一种用于在温度变化时在输入功率值的扩展范围上稳定雪崩光电二极管(“APD”)的增益的光接收器和方法。该设备可以包括一个或者多个并联连接到APD的功率监控级,用于现场生成一个或者多个测量信号。该设备还包括温度补偿器,用于根据温度和测量信号调节APD的工作参数。温度补偿器在温度变化时调节偏压,以便保持增益基本均匀,从而与温度补偿器不响应于温度而调节偏压时相比,利于以较低电平增加输入功率的监控灵敏度。一个功率监控级能够用于监控低功率光信号。
- 二维运动传感器-200580036683.5
- J·I·特里斯纳迪;C·B·卡利斯尔;R·J·朗 - 硅光机器公司
- 2005-10-29 - 2007-10-03 - H01J40/14
- 提供用于通过检测从表面反射的光的光学特征的变化来感测传感器与表面(512)之间的相对移动的光学传感器和使用它们的方法。在一个实施例中,传感器包括光敏元件(304)的二维阵列(302),阵列至少包括经过排列和耦合以便感测沿至少两个不平行轴的第一集合的第一组合移动的第一组多个光敏元件以及经过排列和耦合以便感测沿至少两个不平行轴的第二集合的第二组合移动的第二组多个光敏元件。
- 表面贴装多通道光耦合器-200580012042.6
- M·C·Y·基尼奥内斯;R·乔什 - 费查尔德半导体有限公司
- 2005-02-17 - 2007-04-04 - H01J40/14
- 公布了一种光耦合器封装部件。该光耦合器封装部件包括一个基片和多个光耦合器,该基片包括引线框和塑封料,每一个光耦合器包括:(i)光发射器;(ii)光接收器;(iii)置于光发射器和光接收器之间的透光材料,其中光发射器和光接收器电耦合到引线框。
- 用于监视光电检测器的方法和设备-200480012587.2
- 达林·詹姆斯·杜马;斯蒂芬·C·伯迪克 - 菲尼萨公司
- 2004-05-10 - 2006-06-07 - H01J40/14
- 在本发明的一实施例中,用于监视光信号检测器的电路包括分流器电流镜和电流倍增器电流镜。分流器电流镜具有镜支路和主支路。主支路被耦合到光信号检测器。分流器电流镜被配置以产生与主支路电流的部分对应的镜支路电流。电流倍增器电流镜具有耦合到分流器电流镜的镜支路的主支路和镜支路。电流倍增器电流镜被配置为产生与主支路电流的倍数对应的镜支路电流。在另一实施例中,所述电路包括第一和第二电流镜。第一电流镜具有主电流支路和镜电流支路,其中所述主电流支路展示与镜电流支路所展示的电阻的分数部分对应的电阻,并且所述第一电流镜的主电流支路串联耦合在光信号检测器以及电源和电汲入之一之间。第二电流镜具有主电流支路和镜电流支路,所述第二电流镜的镜电流支路展示与第二电流镜的主电流支路所展示的电阻的分数部分对应的电阻,并且所述第二电流镜的主电流支路与所述第一电流镜的镜电流支路串联耦合。
- 用于电梯滑动门的干扰补偿光学同步安全检测系统-02830123.4
- R·普斯特尔尼亚克 - 奥蒂斯电梯公司
- 2002-12-31 - 2006-01-11 - H01J40/14
- 一种检测滑动门安全系统(10)中干扰能量的方法包括以下步骤:沿第一垂直表面安置至少一个发射器(11);沿第二垂直表面安置至少一个与该至少一个发射器对应的接收器(17);激活此至少一个接收器;激活此至少一个发射器,以发射包含预定频率调制方波的能量束(23);对被激活的至少一个接收器接收的能量强度取样一预定次数,记录每一次接收的能量强度,以形成多个记录的能量强度;选择这些被记录的能量强度中幅度最低的一个形成最低的记录能量强度;将此最低记录能量强度与一阈值相比较,当它低于此阈值时则可确定该能量强度源为外部源。
- 光响应阵列-88102359.0
- 米罗斯拉夫·翁德里斯 - 斯坦科尔公司
- 1988-04-16 - 1991-04-17 -
- 一种感测多个位置电磁辐射强度的阵列,采用了光电和非光响应二极管网络,各光电二极管的一端接到阵列一端的公共线。非光响应二极管接成同极性串联。各光响应二极管的第二端接到串联连接串中非光响应二极管的一个不同连结点。用斜波电压扫描该阵列,每一电流变化表示一光电二极管受照情况。用单晶半导体和非晶、多晶半导体薄膜,如非晶硅和电沉积含碲化镉半导体,易于制成单片式阵列而不存在大量相交迭的导体。
- 光响应阵列-88102359
- 米罗斯拉夫·翁德里斯 - 斯坦科尔公司
- 1988-04-16 - 1988-12-14 -
- 一种感测多个位置电磁辐射强度的阵列中应用光电和非光响应二极管网络。各光电二极管的一端接到阵列一端的公共线。非光响应二极管接成同极性串联。各光响应二极管的第二端接到串联连接串中非光响应二极管的一个不同连结点。用斜坡电压扫描该阵列,每一电流变化表示一光电二极管受照情况。用单晶半导体和非晶、多晶半导体薄膜,如非晶硅和电沉积含碲化镉半导体,易于制成单片式阵列而不存在大量相交迭的导体。
- 专利分类