[其他]激光划线装置和方法无效
| 申请号: | 87106576 | 申请日: | 1987-09-25 |
| 公开(公告)号: | CN87106576A | 公开(公告)日: | 1988-05-18 |
| 发明(设计)人: | 篠原久人 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | B23K26/00 | 分类号: | B23K26/00 |
| 代理公司: | 中国专利代理有限公司 | 代理人: | 林长安,杜有文 |
| 地址: | 日本神奈川*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 激光 划线 装置 方法 | ||
1、一种激光划线装置,其特征在于,该装置包括:
一脉冲(eximer)激光器;
一激光束扩展器,用以扩展所述脉冲激光器发射出的激光束;
一塞孔装置,用以从经扩展后的激光束切掉一边缘部分;
一凸透镜,用以将通过所述塞孔装置的激光束聚焦;和
一基片夹持器,用以利用该聚焦光束加工一基片时,将基片夹持在该加工位置处。
2、按照权利要求1所述的装置,其特征在于,所述凸透镜将所述激光束呈一直线状地聚焦到所述基片上。
3、按照权利要求1所述的装置,其特征在于,所述扩展器主要地在一个方向上对来自所述脉冲激光器的激光束进行扩展。
4、按照权利要求3所述的装置,其特征在于,所述凸透镜是个柱面透镜,所述透镜将经扩展的激光束聚焦在垂直于扩展方向所对应的方向上。
5、如权利要求1的装置,其特征在于,所述基片夹持器可在垂直于激光束传输方向的方向上移动。
6、一种在形成在基片上的薄膜上进行划线的方法,其特征在于,该方法包括:
扩展来自脉冲(eximer)激光器的激光束;
从经扩展后激光束切断一边缘部分;
将切断边缘后成形的激光束聚焦到所述基片上,并清除所述薄膜的经照射部分。
7、按照权利要求6所述的方法,其特征在于,所述脉冲激光器发射的激光束,其波长小于400毫微米。
8、按照权利要求7所述的方法,其特征在于,通过利用清除所述薄膜的相应部分所形成的沟槽将所述薄膜进行切割而分成多个分离的元件。
9、按照权利要求7所述的方法,其特征在于,扩展工序只在一个方向上进行。
10、按照权利要求9所述的方法,其特征在于,经扩展后的激光束在垂直于扩展方向所对应的方向上进行聚焦。
11、按照权利要求10所述的方法,其特征在于,在所述基片朝聚焦方向上移动时在所述基片上重复地进行的激光束聚焦工序以便在所述基片上划出多个沟槽。
12、按照权利要求6所述的方法,其特征在于,所述激光束是脉冲的。
13、按照权利要求12所述的方法,其特征在于,脉冲激光束的脉冲持续时间小于50毫微秒。
14、按照权利要求6所述的方法,其特征在于,所述扩展工序主要是相对于一个方向实施的,且切除了边缘部分的激光束变成截面呈一直线状的扁形光束。
15、按照权利要求6所述的方法,其特征在于,该方法还包括切断所述截面呈一直线状的激光束的边缘部分的工序。
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