[其他]摄象管靶无效
| 申请号： | 87104843 | 申请日： | 1987-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN87104843A | 公开（公告）日： | 1988-01-27 |
| 发明（设计）人： | 云内高明;野中育光;井上荣典 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01J29/45 | 分类号： | H01J29/45 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 何耀煌,曹济洪 |
| 地址： | 日本东*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 象管 | ||
1、一种摄象管靶，其特征在于包括：
-一层在透明基片上形成的N型导电薄膜，
-一层与所述N型导电薄膜构成整流接触的P型光电导薄膜，所述P型光电导薄膜包括含有砷和硒的、按次序命名的第一层、第二层和第三层，其中第一层中砷的平均浓度低于8%(按重量计)，第二层和第三层的砷的浓度在8%至20%(按重量计)的范围内，并且第三层的厚度在所述P型光电导薄膜总厚度的5%至50%的范围内，以及
-一个电子束射击层。
2、一种摄象管靶，其特征在于包括：
-一层在透明基片上形成的N型导电薄膜，
-一层与所述N型导电薄膜构成整流接触的P型光电导薄膜，所述P型光电导薄膜包括按次序命名的第一层、第二层、第三层、第四层和第五层，第一层含有砷和硒，其中砷的平均浓度底于8%（按重量计），第二层含有砷、碲和硒，第三层含有砷和硒，所述第三层的成分沿着其厚度的方向是不同的，第四层含有砷和硒，第五层含有砷和硒，所述砷的浓度在8%至20%（按重量计）范围内，所述第五层的厚度在所述P型光电导薄膜的总厚度的5%至50%的范围内，以及
-一个电子束射击层。
3、根据权利要求2的摄象管靶，其特征在于：其中所述第一层、第二层和第四层中砷的浓度在2.5%至6%的范围内，所述第三层中砷的浓度沿着其厚度方向而向所述第四层连续地减小。
4、根据权利要求3的摄象管靶，其特征在于：其中所述电子束射击层由Sb2S2构成。
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