[其他]阶梯衬底内条形激光器无效
| 申请号: | 87103851 | 申请日: | 1987-05-24 |
| 公开(公告)号: | CN87103851A | 公开(公告)日: | 1988-12-14 |
| 发明(设计)人: | 杜国同 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
| 主分类号: | H01S3/19 | 分类号: | H01S3/19 |
| 代理公司: | 吉林大学专利事务所 | 代理人: | 崔丽娟 |
| 地址: | 吉林省*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阶梯 衬底 条形 激光器 | ||
1、一种内条形半导体双异质结激光器,其特征在于电流隔离层和双异质结构一次液相外延完成生长,电流通路在外延生长过程中自然形成。
2、一种按照权项1所述的激光器,其特征在于外延前衬底腐蚀成倒梯形阶梯。
3、一种按照权项2所述的激光器,其特征在于采用P型GaAs衬底,电流隔离层只需生长0.5~1μm。
4、一种按照权项3所述的激光器,其特征在于电流隔离层生长时要控制0~6℃过冷度,生长时很短(1~15秒)。
5、一种按照权项3、4所述的激光器,其特征在于有源区生长成含Al的AlyGa1-yAs材料,y值可在0.05~0.3之间变化,上下限制层的Al含量x值也适当提高。
6、一种按照权项1所述的激光器,其特征在于外延前衬底腐蚀成倒梯形窄台阶。
7、一种按照权项1所述的激光器,其特征在于外延前衬底分段腐蚀成倒梯形阶梯和窄台阶。
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