[其他]用屏蔽件来制造异形陶瓷复合体的方法无效

专利信息
申请号: 87103352 申请日: 1987-05-07
公开(公告)号: CN87103352A 公开(公告)日: 1988-03-30
发明(设计)人: 马克·S·纽克尔克;罗伯特C·坎特内尔 申请(专利权)人: 兰克西敦技术公司
主分类号: C04B37/02 分类号: C04B37/02
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 段承恩,徐汝巽
地址: 美国特*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 屏蔽 制造 异形 陶瓷 复合体 方法
【权利要求书】:

1、一种通过氧化母体金属形成多晶材料来制取陶瓷体的方法,其中多晶材料基本由(1)上述母体金属与包括气相氧化剂在内的一种氧化剂的氧化反应产物,以及有选择的(2)一种或多种金属组份所组成,上述方法包括以下步骤:(a)至少在上述母体金属的一部分上提供一屏蔽装置,使其至少是部分地与此种母体金属离开,以确定至少一个这种陶瓷体的表面;(b)加热此母体金属至高于其熔点但低于其氧化反应产物的熔点以形成一种熔融金属体,并且在此温度下,(i)上述熔融金属与上述氧化剂反应而形成上述氧化反应产物,(ii)保持至少一部分上述氧化反应产物与该熔融金属和氧化剂接触并处于它们之间以使熔融金属通过氧化反应产物移向上述的屏蔽装置并使之与上述氧化剂接触,使得在氧化剂与已形成的氧化反应产物间的界面处,继续形成氧化反应产物,以及(iii)继续进行上述反应直到上述屏蔽装置,以产生出具有由上述屏蔽装置确定的表面的上述陶瓷体。

2、一种生产自承陶瓷复合结构的方法,该复合结构包括由氧化母体金属成多晶基质材料而获得的陶瓷基质渗入的大量填料,上述多晶基质材料基本由(1)上述母体金属与包括一种气相氧化剂在内的一种或多种氧化剂的氧化反应产物,以及有选择的(2)一种或多种金属组分所组成,上述方法包括以下步骤:(a)加热上述母体金属到高于其熔点但低于氧化反应产物之熔点的温度以形成一种熔融金属体,(b)使上述填料区与上述熔融金属体接触,上述填料至少有一个为一屏蔽装置所限定的表面屏蔽层至少是部分地与上述接触区离开,这样一来,使得所说的氧化反应产物的形成将发生在上述大量填料中并朝上述的屏蔽装置的方向,且在上述温度下,(ⅰ)上述熔融金属与上述氧化剂反应形成上述氧化反应产物,(ⅱ)保持至少一部分氧化反应产物与该熔融金属和氧化剂接触并保持于它们之间,通过此氧化反应产物使熔融金属逐渐朝此氧化剂的方向移动,使得在氧化剂与事先形成的已渗入到上述填料中的氧化反应产物之间的界面上,继续形成氧化反应产物,以及(ⅲ)继续朝上述屏蔽装置的方向进行上述反应,以生产出具有为上述屏蔽装置所确定的表面的陶瓷复合结构。

3、一种生产具有所需形状的陶瓷复合体的方法,该复合体包括被氧化母体金属形成的多晶基质而获得的陶瓷基质所渗入的预制件,上述多晶基质基本由(1)上述母体金属与包括一种气相氧化剂在内的一种或多种氧化剂的氧化反应产物,以及有选择的(2)一种或多种金属组分所组成,上述方法包括以下各个步骤:(a)加热上述母体金属至高于其熔点但低于其氧化反应产物之熔点的温度以形成一种熔融金属体,(b)提供一种至少有一个表面被屏蔽装置所限定的异型预制件,上述预制件对上述的氧化反应产物是可渗透的,(c)使上述预制件的一部分与上述熔融金属体相接触,使上述预制件的上述表面与上述接触区分开,以使上述氧化反应产物的形成发生在此预成形件内,并沿着朝向上述表面的方向发展,且在上述温度下,(ⅰ)上述熔融金属与上述氧化剂反应形成上述氧化反应产物,(ⅱ)保持至少一部分上述氧化反应产物与上述熔融金属和氧化剂接触并处于它们之间,使熔融金属通过上述氧化反应产物朝上述氧化剂的方向逐渐移动,以使得这种氧化反应产物继续在上述氧化剂和事先形成的已渗入上述预制件中的氧化反应产物之间的界面处形成,以及(ⅲ)继续上述反应,直至上述多晶基质已渗入上述预制件达到上述屏蔽装置处,生产出上述具有上述预制件的几何形状和由上述屏挡装在所界定的表面的陶瓷复合体。

4、按照权利要求1、2或3所述的方法,其中上述屏蔽装置在与移动的熔融母体金属相接触时,基本上不被上述移动的熔融母体金属所润湿。

5、按照权利要求1、2或3所述的方法,其中上述屏蔽装置在与移动的熔融金属相接触时与上述移动的熔融母体金属起反应,而基本上不阻碍上述熔融的母体金属通过上述氧化反应产物移动。

6、按照权利要求1、2或3所述的方法,其中上述屏蔽装置的材料是选自由硫酸钙、硅酸钙、硅酸盐水泥、磷酸三钙或它们的混合物组成的一组物质中。

7、按照权利要求6所述的方法,其中上述屏蔽装置材料还包括一种挥发性材料,以使上述屏蔽装置在操作条件下可渗透。

8、按照权利要求6所述的方法,其中上述的屏蔽装置还包括一种填料。

9、按照权利要求8所述的方法,其中上述的填料呈颗粒状,且其膨胀系数与上述填料或上述预制件的膨胀系数基本相同。

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