[其他]荧光面的形成方法无效
| 申请号: | 86106804 | 申请日: | 1986-09-26 |
| 公开(公告)号: | CN1004663B | 公开(公告)日: | 1989-06-28 |
| 发明(设计)人: | 伊藤武夫;佐合诚司;渡部真悟 | 申请(专利权)人: | 东芝株式会社 |
| 主分类号: | 分类号: | ||
| 代理公司: | 上海专利事务所 | 代理人: | 王孙佳 |
| 地址: | 日本神奈川县*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 荧光 形成 方法 | ||
1、一种荧光面的形成方法,包括:在阴极射线管荧光屏上涂敷通过光照射会产生粘附性的抗蚀剂的工序、通过使抗蚀剂的面曝光成图形状从而使图形状显示出粘附性的工序、在上述阴极射线管荧光屏中投入荧光体从而在出现了粘附性的抗蚀剂面上粘附荧光体的工序、从阴极射线管荧光屏上除去多余的荧光体的工序,其特征在于:上述的荧光体通过用粉体粒子对其表面进行包覆而形成包覆体,该包覆后的BET法的比表面选定在荧光体包覆前的比表面的1.5~4.0倍之范围内。
2、根据权利要求1所述的荧光面形成方法,其特征是所说的荧光体的平均粒径是选在3μm~20μm。
3、根据权利要求1所述的荧光面形成方法,其特征是所说的荧光体为ZnS荧光体,平均粒径为6.5μm。
4、根据权利要求1所述的荧光面形成方法,其特征是所说的荧光体为Y2O2S荧光体,平均粒径为6μm。
5、根据权利要求1所述的荧光面形成方法,其特征是所说的微粒子粉体为SiO2、Zn(OH)2、Al2O3、Fe2O3以及CoO·nAl2O3(群青)。
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