[其他]片状氧化锆型细粒晶体及其生产方法

权利要求书

1、具有层状结构片状氧化锆型细粒晶体，其厚度小于500，沿层面平行方向的尺寸大于其厚度的5倍。

2、如权利要求1所述的细粒晶体，其中所述的片状氧化锆型细粒晶体是含有SO₄离子的片状氧化锆细晶体。该晶体是由一种主要含金属锆离子和与锆原子数之比约为2/5的SO₄离子的化合物组成，并且具有垂直于层面的6-或3-重结晶学对称轴。在该晶体中Zr和O之间的相对位置与ZrO₂晶体中的Zr和O的相对位置相似，并且它的粉末X-射线衍射的几个主要峰的位置基本与四方或立方ZrO₂晶体的衍射峰的位置一致。

3、如权利要求1所述的细粒晶体，其中所述的片状氧化锆型细粒晶体是主要由金属锆离子和氧阴离子组成的含结晶水片状氧化锆细粒晶体。在该种晶体中Zr和O之间的相对位置与ZrO₂晶体中的Zr和O的相对位置相似，并且其粉末X-射线衍射曲线的几个主要峰基本与四方或立方ZrO₂晶体的衍射峰的位置一致。

4、如权利要求1所述的细粒晶体，其中所述的片状氧化锆型细粒晶体是具有单斜晶体结构的片状氧化锆细粒晶体。

5、如权利要求1所述的细粒晶体，其中所述的片状氧化锆型细粒晶体是具有四方或立方晶格的，厚度小于200的片状氧化锆细粒晶体。

6、一种生产片状氧化锆细粒晶体的方法，在该方法中，在110～350℃的温度下热处理一种酸性水溶液来制备如权利要求2所述的含SO₄离子的片状氧化锆细粒晶体，其中所用的酸性水溶液含有0.1～1.5克原子/升（以锆计算）的可溶性锆盐和0.1～克离子/升的SO₄离子，PH值小于2。

7、一种生产片状氧化锆细粒晶体的方法，其中在高于600℃的温度下加热使如权利要求2所述的含SO₄离子的片状氧化锆脱硫，由此，获得如权利要求3所述的单斜片状氧化锆细粒晶体。

8、一种生产片状氧化锆细粒晶体的方法，其中在碱性水溶液中对如权利要求2所述的含SO₄离子的片状氧化锆进行老化处理以置换和除去SO₄离子，由此，获得如权利要求4所述的含结晶水片状氧化锆细粒晶体。

9、一种生产片状氧化锆细粒晶体的方法，其中在高于600℃的温度下煅烧如权利要求3所述的含结晶水片状氧化锆细粒晶体，由此，获得如权利要求5所述的具有四方或立方晶格的、厚度小于200的片状氧化锆细粒晶体。