[其他]位置－灵敏的辐射探测器

权利要求书

1、一种用于测定或控制照射在辐射灵敏半导体本体主表面上的辐射束位置的半导体器件，它至少配有两个辐射灵敏二极管，它们与半导体本体相邻部分构成整流结，并有电接线以引出由入射辐射所产生的电流，其特征在于：在工作条件下，至少在二极管间有一个高欧姆电阻区电流通道，这个器件还配有一个调整线路，该线路使和二极管相关的整流结处于这样不同的偏压，与辐射束入射于二极管之间的主表面上的位置无关，使通过两个二极管所产生的电流实际上是相等的。

2、按照权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：辐射灵敏二极管至少由两个第一类电导型半导体区构成，它们与半导体本体中相邻部分构成一个Pn结。

3、根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于：高欧姆电阻区是第一类电导型并与半导体本体中的相邻部分构成一个Pn结。

4、根据权利要求1或2或3所述的半导体器件，其特征在于：高欧姆电阻区由位于介质层上并加以一适当的电位的门电极构成。

5、根据上述任何一个权利要求所述的半导体器件，其特征在于：辐射灵敏二极管间的相对距离是辐射束宽度的几倍。

6、根据上述任何一个权利要求所述的半导体器件，其特征在于：在半导体本体中还至少配有两个与第一类电导型相反的第二类电导型半导体区，并有一些电接线用以消散由入射束产生的电流，在此第二类电导型半导体区之间也有一个高欧姆电阻区，而且该器件还配有一个调整线路，该线路可使第二类电导型半导体区处于互相不同的状态，它们与辐射束照射在主表面上的地点无关，使通过第二类电导型半导体区的电流实际上是相等的。

7、根据上述任何一个权利要求所述的半导体器件，其特征在于：调整线路所提供的输出信号是和通过半导体区的电流值相关的。

8、根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于：在入射辐射区域内，第一类电导型半导体区之间的连线和第二类电导型半导体区之间的连线实际上成直角。

9、根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于：第二类电导型半导体区高欧姆电阻区至少和半导体本体中相邻部分构成一个Pn结。

10、一种光电子聚焦误差探测系统，它可用在光学系统中测量辐射反射元件和物镜系统聚焦表面之间的偏离量，特别是用于从含有光学辐射反射信息结构的记录载体上读取信息，或在记录载体上用光学方法写入信息的装置中，其特征在于：这种聚焦误差探测系统包含有上述任何一个权利要求所述的半导体器件。

11、根据权利要求10所述的光电子聚焦误差探测系统，其特征在于：在辐射反射元件反射回来的辐射光路中，由分束元件分成的两个支束入射到两个第一类电导型的高欧姆电阻区上，这些高欧姆电阻区位于第一类电导型半导体区之间，而调整线路的输出联到一个电子线路的输入端上，在该线路中由这两个输出端产生的信号给出聚焦误差。

12、根据权利要求11所述的光电子聚焦误差探测系统，其特征在于：至少有一个第一类电导型半导体区公用于相邻的两个第一类电导型高欧姆电阻区。

13、一种在记录载体的辐射反射表面上读取和/或写入信息的装置，其特征在于：该装置包含有权利要求10或11或12中任何一项所述的聚焦误差探测系统。

14、根据权利要求13所述的装置，其特征在于：辐射灵敏半导体区和调整线路是在同一个半导体本体中实现的。