[其他]高分子薄膜驻极体的制造方法无效
| 申请号： | 86102516 | 申请日： | 1986-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN86102516A | 公开（公告）日： | 1987-03-11 |
| 发明（设计）人： | 王寿泰;张国光;张和康 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | A61N1/00 | 分类号： | A61N1/00 |
| 代理公司： | 上海交通大学专利事务所 | 代理人： | 罗荫培 |
| 地址： | 上海市华山*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高分子 薄膜 驻极体 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种高分子薄膜驻极体的制造方法，本发明的特征是采用射频低温等离子体注入工艺来制造。
2、根据权利要求1所述的制造方法，其特征是该工艺采用等离子体发生器，工作电压为2000伏～5000伏，工作频率为13MC，真空度为10-3torr，电极为平板形，直径为φ200mm，电极间距为12mm。
3、根据权利要求1所述的制造方法，其特征是使用的高分子薄膜材料可以是全氟乙丙烯共聚物（FEP），聚四氟乙烯，涤纶等，其中最合适的材料是全氟乙丙烯共聚物（FEP）。
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