[其他]锰-铝-磷-硅的氧化物分子筛

权利要求书

1、具有三维微孔的MnO₂、AlO₂、PO₂和SiO₂的四面体单元骨架结构的晶体分子筛，并具有下列化学式所示的无水的经验化学组合物：

mR∶(Mn_wAl_xP_ySi_z)O₂

式中“R”表示存在于晶体内微孔道中的至少一个有机模板剂；“m”表示式中所代表每摩尔(Mg_wAl_xP_ySi_z)O₂的“R”的摩尔数，其值是从零至约0.3；而“W”、“X”、“Y”和“Z”分别表示存在于四面体氧化物中的锰、铝、磷和硅的摩尔分数，该摩尔分数是处于由图1中点A、B、C、D和E所限定的五角形成分区内。

2、由权利要求1的结晶分子筛，其中的“W”、“X”、“Y”和“Z”各摩尔分数是处于由图2中点a、b、c和d所限定的四角形成分区内。

3、由权利要求1或2的结晶分子筛，其中具有一个特有的X射线粉末衍射花样，该花样至少包括表格A中所示的晶面间距。

4、由权利要求1或2的结晶分子筛，其中具有一个特有的X射线粉末衍射花样，该花样至少包括表格B中所示的晶面间距。

5、由权利要求1或2的结晶分子筛，其中具有一个特有的X射线粉末衍射花样，该花样至少包括表格C中所示的晶面间距。

6、由权利要求1或2的结晶分子筛，其中具有一个特有的X射线粉末衍射花样，该花样至少包括表格D中所示的晶面间距。

7、由权利要求1或2的结晶分子筛，其中具有一个特有的X射线粉末衍射花样，该花样至少包括表格E中所示的晶面间距。

8、由权利要求1或2的结晶分子筛，其中具有一个特有的X射线粉末衍射花样，该花样至少包括表格下中所示的晶面间距。

9、由权利要求1或2的结晶分子筛，其中具有一个特有的X射线粉末衍射花样，该花样至少包括表格G中所示的晶面间距。

10、由权利要求1或2的结晶分子筛，其中具有一个特有的X射线粉末衍射花样，该花样至少包括表格H中所示的晶面间距。

11、由权利要求1或2的结晶分子筛，其中具有一个特有的X射线粉末衍射花样，该花样至少包括表格J中所示的晶面间距。

12、由权利要求1或2的结晶分子筛，其中具有一个特有的X射线粉末衍射花样，该花样至少包括表格K中所示的晶面间距。

13、由权利要求1的具有三维微孔骨架结构的结晶分子筛的制备方法，其中包括在有效的温度下和有效的时间中提供一个由下列摩尔氧化物比表示的反应混合组成物：

aR∶（Mn_WAl_XP_YSi_Z）

式中“R”是一个有机模板剂;“a”是“R”的数量，它可以是零或者是大于零直至约6的有效数;b的值是由零直至约500;而“W”、“X”、“Y”和“Z”分别表示在（Mn_WAl_XP_YSi_Z）O₂组成物中的锰、铝、磷和硅的摩尔分数，其值各至少是0.01，由此制备出由权利要求1的分子筛。

14、由权利要求13的方法，其中“W”、“X”、“Y”和“Z”是处于由图3中点F、G、H、I和J所限定的区域内。

15、由权利要求13的方法，其中反应混合物中的磷源是正磷酸。

16、由权利要求13的方法，其中反应混合物中的磷源是正磷酸，而铝源至少是一种选自伪一勃姆石和烷氧基铝的化合物。

17、由权利要求16的方法，其中的烷氧基铝是异丙氧基铝。

18、由权利要求13的方法，其中的硅源是硅石。

19、由权利要求13的方法，其中的锰源是选自其硫酸盐，羧酸盐，氯化物，溴化物，碘化物和它们的混合物。