[发明专利]一体化辐射单元及天线、5G密集天线阵列

权利要求书

1.一体化辐射单元，其特征在于，包括：

主体（11）；

多个引导腔（12），具有输入端（121）和输出端（122），多个引导腔（12）围绕主体（11）的轴线在主体（11）上均匀设置；

慢波发射区（13），具有进入端（131）和聚拢端（132），多个慢波发射区（13）在主体（11）的表面上且围绕主体（11）的轴线在主体（11）上均匀设置；

慢波发射区（13）的进入端（131）与引导腔（12）的输出端（122）连通；

隔离组件（2），设在相邻的主体（11）上，隔离组件（2）的两侧分别存在一个引导腔（12）和一个慢波发射区（13）；以及

回收通道（3），设在主体（11）内，回收通道（3）的第一端与主体（11）的底面连通，第二端延伸至主体（11）的顶面处并与全部聚拢端（132）连通；

其中，输入端（121）到输出端（122）的方向上，引导腔（12）的流通面积趋于增加，引导腔（12）与主体（11）轴线间的距离趋于增加；

进入端（131）到聚拢端（132）的方向上，慢波发射区（13）的宽度趋于减小，慢波发射区（13）与主体（11）轴线间的距离趋于减小。

2.根据权利要求1所述的一体化辐射单元，其特征在于，主体（11）上设有凹槽（111），隔离组件（2）的一部分位于凹槽（111）内，另一部分位于凹槽（111）外。

3.根据权利要求2所述的一体化辐射单元，其特征在于，凹槽（111）的深度大于慢波发射区（13）的深度；

凹槽（111）的深度大于引导腔（12）的深度。

4. 根据权利要求1至3中任意一项所述的一体化辐射单元，其特征在于，隔离组件（2）包括：

隔离墙（21），设在主体（11）上；以及

吸收层（22），设在隔离墙（21）的侧面上，吸收层（22）上均布有谐振吸收环（221）。

5.根据权利要求4所述的一体化辐射单元，其特征在于，吸收层（22）的数量多层；

第一层吸收层（22）设在隔离墙（21）的侧面上，后一层吸收层（22）设在前一层吸收层（22）上；

任意相邻的两层吸收层（22）上的谐振吸收环（221）垂直于隔离墙（21）侧面上的方向上存在重合区域。

6.根据权利要求4所述的一体化辐射单元，其特征在于，远离主体（11）的方向上，隔离墙（21）的两个侧面向靠近彼此的方向倾斜。

7.根据权利要求1所述的一体化辐射单元，其特征在于，慢波发射区（13）的底面上设有反射缝隙（133）；

慢波发射区（13）的侧面上设有反射涂层（134）。

8.根据权利要求1所述的一体化辐射单元，其特征在于，慢波发射区（13）的底面和侧面上均设有反射缝隙（133）。

9.一种天线，其特征在于，包括如权利要求1至8中任意一项所述的一体化辐射单元。

10.一种5G密集天线阵列，其特征在于，包括如权利要求9所述的天线。