[发明专利]一种基于PMN-PT的E-SERS基底及其制备方法与应用在审
| 申请号: | 202310698651.1 | 申请日: | 2023-06-13 |
| 公开(公告)号: | CN116519662A | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
| 发明(设计)人: | 李振;邵明瑞;满宝元;张超;赵晓菲 | 申请(专利权)人: | 山东师范大学 |
| 主分类号: | G01N21/65 | 分类号: | G01N21/65 |
| 代理公司: | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人: | 王志坤 |
| 地址: | 250014 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 pmn pt sers 基底 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种基于PMN-PT的E-SERS基底,其特征在于,所述E-SERS基底包含PMN-PT基片和银薄膜;银薄膜包覆于PMN-PT基片表面上。
2.根据权利要求1所述E-SERS基底,其特征在于,所述PMN-PT基片规格为10*10*0.5mm,001晶相。
3.根据权利要求1所述E-SERS基底,其特征在于,所述银薄膜厚度为5nm。
4.如权利要求1-3所述E-SERS基底的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:在抛光的PMN-PT基片上蒸镀银薄膜。
5.根据权利要求4所述制备方法,其特征在于,在PMN-PT上基片蒸镀银薄膜之前,对PMN-PT基片分别进行乙醇和去离子水擦拭。
6.根据权利要求4所述制备方法,其特征在于,所述蒸镀采用真空蒸发镀膜法、磁控溅射镀膜法或离子镀膜法。
7.根据权利要求4所述制备方法,其特征在于,蒸发源采用纯度为99.99%的银耙,抽真空至8×10-6托(Torr)后控制电流的速率蒸镀,在基片上沉积一层Ag薄膜。
8.如权利要求1-3所述E-SERS基底在E-SERS领域中的应用。
9.一种E-SERS传感器,包括如权利要求1-3所述E-SERS基底。
10.一种E-SERS传感器系统,包括如权利要求9所述的E-SERS传感器。
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