[发明专利]一种基于PMN-PT的E-SERS基底及其制备方法与应用在审

专利信息
申请号: 202310698651.1 申请日: 2023-06-13
公开(公告)号: CN116519662A 公开(公告)日: 2023-08-01
发明(设计)人: 李振;邵明瑞;满宝元;张超;赵晓菲 申请(专利权)人: 山东师范大学
主分类号: G01N21/65 分类号: G01N21/65
代理公司: 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 代理人: 王志坤
地址: 250014 山*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 基于 pmn pt sers 基底 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种基于PMN-PT的E-SERS基底,其特征在于,所述E-SERS基底包含PMN-PT基片和银薄膜;银薄膜包覆于PMN-PT基片表面上。

2.根据权利要求1所述E-SERS基底,其特征在于,所述PMN-PT基片规格为10*10*0.5mm,001晶相。

3.根据权利要求1所述E-SERS基底,其特征在于,所述银薄膜厚度为5nm。

4.如权利要求1-3所述E-SERS基底的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:在抛光的PMN-PT基片上蒸镀银薄膜。

5.根据权利要求4所述制备方法,其特征在于,在PMN-PT上基片蒸镀银薄膜之前,对PMN-PT基片分别进行乙醇和去离子水擦拭。

6.根据权利要求4所述制备方法,其特征在于,所述蒸镀采用真空蒸发镀膜法、磁控溅射镀膜法或离子镀膜法。

7.根据权利要求4所述制备方法,其特征在于,蒸发源采用纯度为99.99%的银耙,抽真空至8×10-6托(Torr)后控制电流的速率蒸镀,在基片上沉积一层Ag薄膜。

8.如权利要求1-3所述E-SERS基底在E-SERS领域中的应用。

9.一种E-SERS传感器,包括如权利要求1-3所述E-SERS基底。

10.一种E-SERS传感器系统,包括如权利要求9所述的E-SERS传感器。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东师范大学,未经山东师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310698651.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top