[发明专利]一种输出电流信号的电压采样电路

说明书

本申请涉及电压检测技术领域，具体涉及一种输出电流信号的电压采样电路，电压采样电路包括第一级采样电路及第二级采样电路；在第一级采样电路中，电压源端VDD依次通过第二电流镜结构的第一支路、第六开关管接入第一节点F；第六开关管的控制端通过第十六开关管接入第二节点E；第一电压采样端Vin1通过第三电阻接入第二节点E；电压源端VDD还依次通过第五电流镜结构的第一支路、第十一开关管M11接入第三节点k；第十一开关管的控制端通过第十八开关管接入第四节点G；第二电压采样端Vin2通过第四电阻接入第四节点G。本申请确保了电压采样电路所输出的电流信号的精度，提高了电压采样电路的可靠性。

技术领域

本申请涉及电压检测技术领域，具体涉及一种输出电流信号的电压采样电路。

背景技术

半导体控制芯片是指在半导体片材上进行浸蚀，布线，制成的能实现某种功能的半导体控制器件。

现有技术中，半导体控制芯片通常需要对电路高压端的电压和低压端的电压进行采样后，得到一电流信号，并利用该电流信号实现对芯片内部模块的控制；然而，由于现有技术中通常采用运算放大器和电阻等组合结构得到该电压采样电路，但此时，当高压端和低压端之间的电压差较大时，会导致运算放大器耐压不够；同时，当芯片工作温度变化后，由于运算放大器等器件均存在较大的温漂，从而导致该电压采样电路误差较大。

发明内容

本申请提供了一种输出电流信号的电压采样电路，确保了电压采样电路所输出的电流信号的精度，提高了电压采样电路的可靠性，该技术方案如下：

所述电压采样电路包括第一级采样电路及第二级采样电路；

在所述第一级采样电路中，电压源端VDD依次通过第一电流镜结构的第一支路、第一电流源A1接地；

所述电压源端VDD还依次通过第一电流镜结构的第二支路、第十五开关管Q1接入第一节点F；所述第一节点F通过第一电阻R1接地；

所述电压源端VDD还依次通过第一电流镜结构的第三支路、第十六开关管Q2接入第二节点E；所述第二节点E通过第二电阻R2接地；

所述电压源端VDD还依次通过第二电流镜结构的第一支路、第六开关管M6接入所述第一节点F；所述第六开关管M6的控制端通过所述第十六开关管Q2接入所述第二节点E；第一电压采样端Vin1通过第三电阻R3接入所述第二节点E；

所述电压源端VDD还通过第二电流镜结构的第二支路连接至第一输出端点；所述第一输出端点通过第三电流镜结构的第一支路接地；

在所述第二级采样电路中，所述电压源端VDD依次通过第四电流镜结构的第一支路、第二电流源A2接地；

所述电压源端VDD还依次通过第四电流镜结构的第二支路、第十七开关管Q4接入第三节点k；所述第三节点k通过第六电阻R6接地；

所述电压源端VDD还依次通过第四电流镜结构的第三支路、第十八开关管Q3接入第四节点G；所述第四节点G通过第五电阻R5接地；

所述电压源端VDD还依次通过第五电流镜结构的第一支路、第十一开关管M11接入所述第三节点k；所述第十一开关管M11的控制端通过所述第十八开关管Q3接入所述第四节点G；第二电压采样端Vin2通过第四电阻R4接入所述第四节点G；

所述电压源端VDD还通过第五电流镜结构的第二支路连接至第二输出端点；所述第二输出端点通过第三电流镜结构的第二支路接地。

在一种可能的实施方式中，当所述第一电压采样端Vin1的第一采样电压V1大于所述第二电压采样端Vin2的第二采样电压V2时，所述第一级采样电路的第一输出端点输出第一电流信号Iout1；当所述第一电压采样端Vin1的第一采样电压V1小于所述第二电压采样端Vin2的第二采样电压V2时，所述第二级采样电路的第二输出端点输出第二电流信号Iout2。