[发明专利]一种多电压域宽电压稳压电路

说明书

本发明公开了一种多电压域宽电压稳压电路，包含第一稳压电路、第二稳压电路与第一电压判断电路，所述的第一电压判断电路连接所述的第二稳压电路，所述的第一稳压电路与第二稳压电路都包含稳压模块且共同连接到电压输入端;所述的第一稳压电路还包含第一电阻R1,所述的第一电阻R1一端连接所述电压输入端，另一端连接稳压模块，所述稳压模块的另一端接地；所述第一电阻R1与稳压模块的公共端为VDD电压输出端；所述的第二稳压电路还包含第二电阻R2、第三电阻R3、第一PMOS管MP1与第一NMOS管MN1，本发明包含第一稳压电路与第二稳压电路，第一稳压电路与第二稳压电路分别包含不同电流驱动力的稳定电压输出，第二稳压电路的特定结构还可兼容更宽的电压输入值。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路技术领域，特别是涉及一种多电压域宽电压稳压电路。

背景技术

随着半导体集成电路技术的发展，电路的集成规模越来越大，一个半导体集成电路里面包含多个模块，每个模块对电压及电流的驱动力要求不同，这就导致了一个半导体集成电路需要多电压域供电，这给半导体集成电路的设计造成了很大的难度。如何在一个外部电源供电的情况下一个电路内实现多个精准高效的不同电压域供电是本领域技术人员需要解决的技术问题。

发明内容

针对以上现有技术的不足，本发明公开了一种多电压域宽电压稳压电路，本技术方案包含第一稳压电路与第二稳压电路，第一稳压电路与第二稳压电路分别包含不同电流驱动力的稳定电压输出，本发明的技术方案具体如下：

一种多电压域宽电压稳压电路，包含第一稳压电路、第二稳压电路与第一电压判断电路，所述的第一电压判断电路连接所述的第二稳压电路，所述的第一稳压电路与第二稳压电路都包含稳压模块且共同连接到电压输入端。

在进一步的技术方案中，所述的第一稳压电路还包含第一电阻R1,所述的第一电阻R1一端连接所述电压输入端，另一端连接稳压模块，所述稳压模块的另一端接地；所述第一电阻R1与稳压模块的公共端为VDD电压输出端。

所述的第二稳压电路还包含第二电阻R2、第三电阻R3、第一PMOS管MP1与第一NMOS管MN1。

所述的第二电阻R2的一端连接所述电压输入端，另一端连接所述第一NMOS管MN1的漏极，所述第一NMOS管MN1的源极与衬底接地，栅极连接所述的第一电压判断电路。

所述的第一PMOS管MP1的源极与衬底连接所述的电压输入端，栅极连接所述第一NMOS管MN1的漏极，漏极连接稳压模块，所述稳压模块的另一端接地。

所述的第三电阻R3一端连接所述电压输入端，另一端连接稳压模块，所述第三电阻R3与稳压模块的公共端为Vout电压输出端。

在进一步的技术方案中，所述的宽电压稳压电路还包含第二电压判断电路；所述的第二稳压电路还包含第四电阻R4、第五电阻R5、第二PMOS管MP2与第二NMOS管MN2。

所述的第五电阻R5的一端连接所述第一PMOS管MP1的漏极，另一端连接所述第二NMOS管MN2的漏极，所述第二NMOS管MN2的源极与衬底接地，栅极连接所述的第二电压判断电路。

所述的第二PMOS管MP2设置在所述第一PMOS管MP1与稳压模块之间，所述第二PMOS管MP2的源极与衬底连接所述第一PMOS管MP1的漏极，所述第二PMOS管MP2的漏极连接稳压模块，栅极连接所述第二NMOS管MN2的漏极。

所述第四电阻R4与所述第三电阻R3串联，一端连接所述第三电阻R3，另一端连接所述稳压模块，所述第四电阻R4与第三电阻R3的公共端连接所述第一PMOS管MP1的漏极，所述第四电阻R4与稳压模块的公共端为Vout电压输出端。

在进一步的技术方案中，所述的宽电压稳压电路还包含第三电压判断电路；所述的第二稳压电路还包含第六电阻R6、第七电阻R7、第三PMOS管MP3与第三NMOS管MN3。