[发明专利]一种基于低频漏磁的无损检测笔

权利要求书

1.一种基于低频漏磁的无损检测笔，其特征在于：由开关按钮(1)、电池(2)、信号发生模块(3)、信号放大器(4)、磁轭(5)、线圈(6)、霍尔元件阵列(7)、聚磁器(8)、磁屏蔽层(9)、信号调理模块(10)、无线通信(11)、计算机(12)、外壳(13)、滑轨(14)组成；信号发生模块(3)由单片机(15)、FPGA(16)、电平交换电路(17)、MAX295芯片(18)，低通滤波器(19)、幅度调节电路(20)组成；信号调理模块(10)由高通滤波器(21)、时钟发生器(22)，、抗混叠滤波器(23)、模拟多路器(24)、A/D转换器(25)组成；电池(2)产生的信号经过信号发生模块(3)，在FPGA(16)、MAX295芯片(18)、低通滤波器(19)的作用下，输出可程控的平滑的正弦信号，信号放大器(4)作用于线圈(6)，在空间产生电磁场，在有缺陷地方形成漏磁场，漏磁经过磁屏蔽层(9)和聚磁器(8)被霍尔元件阵列(7)捕捉，通过信号调理模块(10)，由其中的高通滤波器(21)、抗混叠滤波(23)对电信号放大，同时滤除和抑制噪声信号，再通过模拟多路器(24)转换，最终由无线通信(11)传送到计算机(12)上进行处理，通过多个角度对漏磁信号调理，为精确定定量识别提供了较为准确的信号。

2.根据权利要求1所述的一种基于低频漏磁的无损检测笔，其特征在于：磁轭形状为C型，内径弧度为220°，内径为45mm，磁极厚度为12mm，采用两极绕线方式，每边匝数为360匝，屏蔽层的厚度为1mm，层数为一层，宽度为70mm。

3.根据权利要求1所述的一种基于低频漏磁的无损检测笔，其特征在于：采用了独特的单通道双放大倍数放大电路，一路为70倍放大，另一路为30倍放大，不同尺寸的缺陷使用不同的放大倍数的信号进行分析。

4.根据权利要求1所述的一种基于低频漏磁的无损检测笔，其特征在于：检测笔的外壳使用了密度为1.80～2.50的导电硅胶，底部滑轨设计为可拆卸式弧型。