[发明专利]一种浪涌电流限制电路及芯片

权利要求书

1.一种浪涌电流限制电路，其特征在于，包括：

场效应管，其漏极经负载及负载电容端与电源端连接，其源极通过采样电阻与系统最低电位端连接；

电流镜驱动电路，耦接至所述场效应管的栅极；

软启动充电电路，其耦接至所述电流镜驱动电路的控制端，并且被配置成使所述电流镜驱动电路输出的驱动电压随充电电压上升速率施加至场效应管的栅极；

冲击电流采样电路，耦接至所述场效应管的漏极和栅极，并且被配置成使所述场效应管的栅极电压随采样到的冲击电流做反向变化；

比较电路，耦接至所述场效应管的源极和栅极，并且被配置成当所述场效应管的源极电压比预设的阈值电压大时，控制所述场效应管的栅极电压减小。

2.根据权利要求1所述的浪涌电流限制电路，其特征在于，所述软启动充电电路至少包括：

充电电容，耦接至充电电流源；

第一齐纳二极管，与所述充电电容并联的反向偏置设置；

运算放大器，耦接于所述充电电容与所述电流镜驱动电路之间，控制电流镜驱动电路。

3.根据权利要求2所述的浪涌电流限制电路，其特征在于，所述充电电路还包括串联在所述充电电源与充电电容之间的电流源与开关。

4.根据权利要求1所述的浪涌电流限制电路，其特征在于，所述比较电路至少包括：

比较器，所述比较器的反向输入端与所述场效应管的源极连接，比较器的正向输入端与预设的阈值电压连接；

隔离二极管，反向偏置地耦接于所述场效应管的栅极和所述比较器的输出端之间。

5.根据权利要求1所述的浪涌电流限制电路，其特征在于，所述比较电路设置有至少两组，不同组的比较器连接不同的阈值电压。

6.根据权利要求1所述的浪涌电流限制电路，其特征在于，所述冲击电流采样电路包括耦接在所述场效应管的漏极的采样电容。

7.根据权利要求6所述的浪涌电流限制电路，其特征在于，所述冲击电流采样电路耦接于所述场效应管的漏极与所述电流镜驱动电路之间，并且被配置成使所述电流镜驱动电路输出的驱动电压随所述采样电容采样到的冲击电流做反向变化。

8.根据权利要求7所述的浪涌电流限制电路，其特征在于，所述电流镜驱动电路包括第一三极管，第一三极管的集电极与所述场效应管的漏极连接，所述第一三极管的发射极与第二三极管的集电极连接，所述第二三极管的集电极通过所述采样电容与所述场效应管的漏极连接。

9.根据权利要求8所述的浪涌电流限制电路，其特征在于，所述第二三极管的集电极与发射极之间耦接有反向偏置的齐纳二极管。

10.一种浪涌电流的限制方法，所述方法用于权利要求1-9中任一项所述的浪涌电流限制电路，包括；

控制场效应管的栅极电压按照预设的电压上升速度上升至预设电压值；

基于场效应管的漏极电压变化率，调整场效应管的栅极电压；

基于场效应管的源极电压，调整场效应管的栅极电压。

11.根据权利要求10所述的浪涌电流的限制方法，其特征在于，所述调整场效应管的栅极电压的电压上升速度包括：

基于充电电容充电时的电压上升速率，相应地调整场效应管的栅极电压的电压上升速度。

12.根据权利要求10所述的浪涌电流的限制方法，其特征在于，所述基于场效应管的漏极电压变化率，调整场效应管的栅极电压包括：

基于采样电容采样场效应管的漏极电压变化率，相应的调整场效应管的栅极电压。

13.根据权利要求10所述的浪涌电流的限制方法，其特征在于，所述基于场效应管的源极电压，调整场效应管的栅极电压包括：

基于所述场效应管的源极电压与预设的阈值电压的比较结果，调整场效应管的栅极电压。

14.一种浪涌电流限制芯片，其特征在于，包括权利要求1-9中任一项所述的浪涌电流限制电路。