[发明专利]一种用于降解磺胺甲恶唑的三维BDD网膜电极的制备方法和应用

权利要求书

1.一种用于降解磺胺甲恶唑的三维BDD网膜电极的制备方法，其特征在于该制备方法具体是按以下步骤完成的：

一、对铜网进行剪裁，得到金刚石网膜的生长衬底；

二、对金刚石网膜的生长衬底进行清洗，再将金刚石网膜的生长衬底浸入到含纳米金刚石粉末的悬浮液中超声，得到负载纳米金刚石粉末的衬底；

三、将负载纳米金刚石粉末的衬底放入去离子水中超声清洗，得到预处理后的衬底；

四、以H₂、CH₄和B作为气体源，采用微波等离子化学气相沉积法在预处理后的衬底上生长硼掺杂多晶金刚石，得到用于降解磺胺甲恶唑的三维BDD网膜电极。

2.根据权利要求1所述的一种用于降解磺胺甲恶唑的三维BDD网膜电极的制备方法，其特征在于步骤一中所述的金刚石网膜的生长衬底的尺寸为2cm×2.5cm。

3.根据权利要求1所述的一种用于降解磺胺甲恶唑的三维BDD网膜电极的制备方法，其特征在于步骤二中使用去离子水对金刚石网膜的生长衬底进行超声清洗的次数为1次～3次，每次超声清洗的时间为5min～10min。

4.根据权利要求1所述的一种用于降解磺胺甲恶唑的三维BDD网膜电极的制备方法，其特征在于步骤二中将金刚石网膜的生长衬底浸入到含纳米金刚石粉末的悬浮液中超声的时间为20min～30min。

5.根据权利要求1所述的一种用于降解磺胺甲恶唑的三维BDD网膜电极的制备方法，其特征在于步骤三中将负载纳米金刚石粉末的衬底放入去离子水中超声清洗的时间为3s。

6.根据权利要求1所述的一种用于降解磺胺甲恶唑的三维BDD网膜电极的制备方法，其特征在于步骤四中所述的H₂、CH₄和B的体积比为200:8:2.5。

7.根据权利要求1所述的一种用于降解磺胺甲恶唑的三维BDD网膜电极的制备方法，其特征在于步骤四中所述的微波等离子化学气相沉积法中微波功率为500W～3800W，金刚石电极生长温度为620℃～640℃，工作压强为12200Torr～12500Torr，时间为8h～10h。

8.如权利要求1所述的制备方法制备的一种用于降解磺胺甲恶唑的三维BDD网膜电极的应用，其特征在于一种用于降解磺胺甲恶唑的三维BDD网膜电极用于降解磺胺甲恶唑。

9.根据权利要求8所述的一种用于降解磺胺甲恶唑的三维BDD网膜电极的应用，其特征在于利用一种用于降解磺胺甲恶唑的三维BDD网膜电极降解废水中磺胺甲恶唑是按以下步骤完成的：

将pH值为3～11的含有磺胺甲恶唑的废水加入到电解槽中，向电解槽中加入Na₂SO₄作为电解质，以用于降解磺胺甲恶唑的三维BDD网膜电极为正极，以Pt铂片为负极，固定极板的板间间距为2cm，在电流强度为15mA/cm²～45mA/cm²下降解30min～180min，得到去除磺胺甲恶唑的废水。

10.根据权利要求8所述的一种用于降解磺胺甲恶唑的三维BDD网膜电极的应用，其特征在于所述的Na₂SO₄在废水中的浓度为0.02mol/L～0.1mol/L；所述的含有磺胺甲恶唑的废水中磺胺甲恶唑的浓度为30mg/L～100mg/L。