[发明专利]一种SnO2

权利要求书

1.一种SnO₂基陶瓷材料，其特征在于，由以下摩尔份数的原料制备得到：SnO₂粉末85~98份、Bi₂O₃粉末为1~7.5份、Nb₂O₅粉末为1~7.5份，其中Bi₂O₃和Nb₂O₅的摩尔比为1:1；

所述SnO₂基陶瓷材料的介电性能在测试频率范围100Hz~1MHz内，介电常数为10⁴量级，介电损耗低于0.065；在测试温度范围-50~250℃内，介电常数为10³量级，介电损耗低于0.1。

2.根据权利要求1所述SnO₂基陶瓷材料，其特征在于，由以下摩尔份数的原料制备得到：SnO₂粉末90~95份、Bi₂O₃粉末为2.5~5份、Nb₂O₅粉末为2.5~5份，其中Bi₂O₃和Nb₂O₅的摩尔比为1:1。

3.权利要求1或2所述SnO₂基陶瓷材料的制备方法，包括以下步骤：

（1）将SnO₂、Bi₂O₃和Nb₂O₅原料按照配比混合后进行球磨，过滤干燥后得到混合粉料；

（2）向步骤（1）所得混合粉料中加入粘合剂进行造粒；造粒所得材料真空封装后进行温等静压，得到压缩材料；

（3）将步骤（2）所得压缩材料经研磨、造粒、压片成型得到生坯片，所得生坯片经冷等静压、排胶处理后烧结，得到SnO₂基陶瓷材料。

4.根据权利要求3所述SnO₂基陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤（1）中所述球磨步骤为：将SnO₂、Bi₂O₃和Nb₂O₅原料按照配比混合后加入放有氧化锆和去离子水的球磨罐中进行球磨；球磨过程中球料比为3~5:1；所述去离子水的质量与SnO₂、Bi₂O₃和Nb₂O₅原料的总质量之比为0.5~1:1；所述球磨的转速为300~500r/min，球磨过程中设置正反方向交替旋转，间隔时间为5min，球磨时间为10~15h；所述干燥为在70~80℃下干燥10~15h；所得混合粉料的D90粒径为2.0~2.2μm。

5.根据权利要求3所述SnO₂基陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述粘合剂为去离子水；所述粘合剂与混合粉料的质量比为1~3:1；

所述真空封装为使用干压型压片机在2~4MPa压力下压片封装；所述温等静压的压力为300~350MPa，温等静压的升压速率为2MPa/s，保压时间为10s。

6.根据权利要求3所述SnO₂基陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述造粒步骤为：向研磨所得粉料中加入去离子水造粒，所述去离子水与粉料的质量比为2~5:1；

所述压片成型步骤为：在2~4MPa压力下将造粒所得粉料压成直径10mm，厚度2mm的生坯片。

7.根据权利要求3所述SnO₂基陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述冷等静压的条件为：冷等静压的压力为300~350MPa，冷等静压的升压速率为2MPa/s，保压时间为10s。