[发明专利]行波管用收集极复合结构及其制备方法

权利要求书

1.一种行波管用收集极复合结构的制备方法，其特征在于，包括：

采用化学气相沉积方法制备高导热氮化硼材料的绝缘筒，二次加工多余部位；

在所述绝缘筒内壁，采用化学气相沉积方法制备热解石墨材料的收集极电极，实现收集极电极与绝缘筒的连接，二次加工多余部位；

采用化学气相沉积方法制备热解石墨材料的电极尾盖，二次加工多余部位。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述采用化学气相沉积方法制备高导热氮化硼材料的绝缘筒，具体包括：

利用高纯BCl3和NH3在第一预定炉压和第一预定温度下，在圆柱状的绝缘筒沉积模具上化学气相沉积高纯高致密六方热解氮化硼，其中，所述绝缘筒沉积模具采用等静压石墨材料，沉积厚度为1mm；

降温后，将所述绝缘筒沉积模具取下并进行二次加工，完成绝缘筒的制备。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述采用化学气相沉积方法制备热解石墨材料的收集极电极，具体包括：

利用高纯CH4在第二预定炉压和第二预定温度下，在第一电极沉积模具和第二电极沉积模具上化学气相沉积高纯高致密热解石墨，沉积厚度为0.5mm，其中，所述第一电极沉积模具为圆柱形模具，所述第二电极沉积模具为套设于所述绝缘筒内壁与所述圆柱形模具之间的两个楔形模具；

脱模后二次加工，完成收集极电极的制备。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述采用化学气相沉积方法制备热解石墨材料的电极尾盖，具体包括：

利用高纯CH4在第三预定炉压和第三预定温度下，在尾盖沉积模具上化学气相沉积高纯高致密热解石墨，沉积厚度1mm，完成电极尾盖的制备。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括：

采用钛银铜焊料分别在绝缘筒与输出端盖过渡环之间、绝缘筒与引线盘过渡环之间，以及所述电极尾盖与所述收集极电极之间进行密封钎焊；

采用氩弧焊分别在引线盘过渡环与引线盘之间，以及高压引线柱与电极引线之间进行密封焊接。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述采用钛银铜焊料分别在绝缘筒与输出端盖过渡环之间、绝缘筒与引线盘过渡环之间，以及所述电极尾盖与所述收集极电极之间进行密封钎焊，具体包括：

分别将收集极电极、绝缘筒、电极尾盖、输出端盖过渡环、引线盘过渡环进行预装配；

将输出端盖过渡环朝下，在零件配合处放置直径为0.5mm的钛银铜焊料丝与厚度为0.05mm的焊料片，在真空保护炉中进行钎焊；

焊接后采用氦质谱检漏仪进行检漏，直至达到预定漏率要求。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述将输出端盖过渡环朝下，在零件配合处放置直径为0.5mm的钛银铜焊料丝与厚度为0.05mm的焊料片，在真空保护炉中进行钎焊，具体包括：

(a)以升温速度不超过15℃/min，升温到800℃±10℃，保温25～35min；

(b)以升温速度不超过20℃/min，升温到830℃±10℃，保温3～5min；

(c)在30分钟内冷却到600℃±10℃；

(d)在15分钟内冷却到400℃±10℃，然后随炉冷却到室温。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述采用氩弧焊分别在引线盘过渡环与引线盘之间，以及高压引线柱与电极引线之间进行密封焊接，具体包括：

分别将引线盘和高压引线柱装配在引线盘过渡环下端，将电极引线穿过高压引线柱中心的通孔；

采用氩弧焊完成引线盘过渡环与引线盘，以及高压引线柱与电极引线的密封焊接，保持脉冲焊接电流在15～20A；

焊接后采用氦质谱检漏仪进行检漏，直至达到预定漏率要求。

9.一种根据权利要求1～8中任一项所述行波管用收集极复合结构的制备方法制备的行波管用收集极复合结构，其特征在于，包括：

收集极组件，包括收集极电极、套设于所述收集极电极外侧的绝缘筒以及电极尾盖；

电极引线、输出端盖过渡环、引线盘过渡环和引线盘组件；

其中，所述收集极电极底部支撑有所述电极尾盖，所述电极尾盖中部开设有V形槽，所述电极引线穿过所述通孔插装于所述V形槽内；

所述绝缘筒上端外壁焊接有输出端盖过渡环，所述引线盘过渡环的上下两端内侧分别开设有台阶，所述绝缘筒下端外壁卡在所述引线盘过渡环上端的台阶上；

所述引线盘组件包括引线盘和高压引线柱，所述引线盘卡在所述引线盘过渡环下端的台阶上，所述引线盘中部开设有卡槽，所述高压引线柱卡在所述卡槽内，所述高压引线柱的中心开设有通孔，所述电极引线穿过所述通孔连通至所述收集极电极。