[发明专利]一种气浮承片装置及晶片研磨设备

说明书

本发明提供了一种气浮承片装置及晶片研磨设备，气浮承片装置包括转动轴组件、轴承座、上盘、下盘及驱动连接部，其中：上盘固定连接在转动轴组件的上端，下盘固定连接在转动轴组件的下端，上盘、转动轴组件及下盘之间形成环凹槽；轴承座安装在环凹槽内，用于实施对转动轴组件的限位支撑；轴承座内设有充气通道，充气通道用于充入压缩气体，使得轴承座与上盘之间形成第一气膜、与下盘之间形成第二气膜，以及与转动组件之间形成第三气膜；驱动连接部固定在下盘和转动轴组件的下端，用于带动转动轴组件、上盘和下盘同步转动。本发明的气浮承片装置，可保证转动体在高速旋转过程中不与轴承座产生直接机械接触，从而降低上盘对目标物的承载偏差。

技术领域

本发明涉及集成电路封装领域，具体地说是一种气浮承片装置及晶片研磨设备。

背景技术

现有技术中的研磨设备，一般采用机械承片装置来承载待研磨的片材，其主体结构为轴承及安装在轴承上的承片台。轴承自身存在游隙使得承片台在径向和轴向上存在偏差，承片台装配至轴承过程中存在装配偏差，此外在使用过程中，承片台与轴承之间的机械摩擦导致承片台的偏差进一步增大。上述各类偏差，最终造成研磨设备的研磨精度较低，影响了研磨设备的性能。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种气浮承片装置，其采用如下技术方案：

一种气浮承片装置，包括转动轴组件、轴承座、上盘、下盘及驱动连接部，其中：

上盘固定连接在转动轴组件的上端，下盘固定连接在转动轴组件的下端，上盘、转动轴组件及下盘之间形成环凹槽，上盘用于承载待处理的目标物；

轴承座安装在环凹槽内，用于实施对转动轴组件的限位支撑；

轴承座内设置有充气通道，充气通道用于充入压缩气体，使得轴承座与上端面与上盘之间形成第一气膜、轴承座的下端面与下盘之间形成第二气膜，轴承座的内壁与转动组件之间形成第三气膜；

驱动连接部固定连接在下盘和转动轴组件的下端，驱动连接部用于连接驱动装置，以带动转动轴组件、上盘和下盘同步转动。

本发明提供的气浮承片装置，轴承座安装在上盘、转动轴组件和下盘形成的环凹槽内，从而保证转动轴组件、上盘及下盘所构成的转动体能够在轴承座上稳定转动。特别的，轴承座内设置有充气通道，充气通道用于将压缩气体充入至轴承座与转动体的接触部位，从而使得轴承座与转动体的接触部位形成气膜，如此，可以保证转动体在高速旋转过程中不与轴承座产生直接的机械接触，从而降低上盘对目标物的承载偏差。

在一些实施例中，轴承座的上端面与上盘的接触处设置有第一轴承垫，第一轴承垫的下表面与轴承座气密贴合，第一轴承垫的上表面与上盘之间形成第一气膜；轴承座的下端面与下盘的接触处设置有第二轴承垫，第二轴承垫的上表面与轴承座气密贴合，第二轴承垫的下表面与下盘之间形成第二气膜。

通过在轴承座的上端面、下端面上分别设置第一轴承垫、第二轴承垫，可实现轴承座与上盘、下盘之间的缓冲接触，降低转动体在高速旋转过程中的震动，提升上盘对目标物的承载稳定性。

在一些实施例中，第一轴承垫和第二轴承垫均为绕设在转动轴组件外侧的环形黄铜垫或环形石墨垫。

提供了两种缓冲性能较优的轴承垫，其均实现轴承座与上盘、下盘之间的缓冲接触。

在一些实施例中，轴承座的内壁上设有径向轴承，径向轴承的外侧表面与轴承座的内壁气密贴合，径向轴承的内侧表面与转动组件之间形成第三气膜。

通过在轴承座的内壁上设置径向轴承，可实现轴承座与转动轴组件之间的缓冲接触，降低转动体在高速旋转过程中的震动，提升上盘对目标物的承载稳定性。

在一些实施例中，径向轴承为绕设在转动轴组件外侧的黄铜轴承或石墨轴承。