[发明专利]一种大樱桃砧木克雷姆斯克5号组织培养快速繁殖方法在审

专利信息
申请号: 202310365670.2 申请日: 2023-04-07
公开(公告)号: CN116210592A 公开(公告)日: 2023-06-06
发明(设计)人: 纠松涛;张才喜;胥杰明;杨琪;刘瑞娥;王世平;王磊;徐岩;吕正鑫;王雨萱 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 成都乐易联创专利代理有限公司 51269 代理人: 赵何婷
地址: 200000 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 大樱桃 砧木 克雷姆斯克 组织培养 快速 繁殖 方法
【权利要求书】:

1.一种大樱桃砧木克雷姆斯克5号组织培养快速繁殖方法,其特征在于包括如下步骤:

(1)外植体的选择

选取4月初克雷姆斯克5号樱桃树的新稍或者带腋芽的未木质茎段,并将茎段剪切成带芽的3~5cm小段,并将其存放在温度为4℃环境中;

采用洗洁精溶液对带芽的小段浸泡8min,然后采用纱布将浸泡后的小段包覆后在流动水下冲洗5min,然后再转移到无菌环境中,采用0.1%的HgCl2溶液振荡8min,并采用无菌水冲洗3次后获得外植体;

(2)初代培养

将外植体垂直接入初代培养基WPM+6-BA0.2mg/L+IBA0.02mg/L+蔗糖30g/L+琼脂6.5g/L中,每瓶接种1株,然后放入培养室中进行培养,培养条件温度20~26℃,每天光照10~12小时和光照强度为800~1000lx的条件下培养4周,获取分化苗;

(3)继代培养

选取健康、生长良好的初代组分化苗,剪切后接种到增殖培养基WPM+6-BA0.3mg/L+IBA0.03mg/L+蔗糖30g/L+琼脂6.5g/L上进行继代增殖,每瓶接种1株;然后放入培养室中进行培养,培养条件为温度20~26℃,每天光照10~12小时和光照强度为800~1000lx,培养4周,获取继代苗;

(4)生根培养

选取高于3cm且健壮的继代苗,由茎基部剪切后接种到生根培养基WPM+0.05mg/LIAA+蔗糖30g/L+琼脂6.5g/L上进行生根培养,每瓶接种1株;然后放入培养室中进行培养,培养条件温度20~26℃,每天光照10~12小时和光照强度为800~1000lx的条件下培养3周,获培苗;

(5)炼苗移栽

将培苗的培养基转移到自然光环境下,先进行封闭炼苗,自然光照射下3d,然后继续开放炼苗3d;炼苗完成后进行移栽;

用镊子将生根苗从培养瓶中取出,用自来水将其根部的培养基冲洗干净,移入已混好有机质:蛭石=1:1基质的苗盘,浇足水,喷施多菌灵,转入驯化室培养30d,而后选择健壮的移栽苗转至温室土壤中栽种。

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