[发明专利]一种低功率加热的谐振电源调节方法和装置

权利要求书

1.一种低功率加热的谐振电源调节方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1：控制模块从可控整流电路获取目标加热功率；判断目标加热功率是否大于预设功率；

步骤2：如果所述目标加热功率小于所述预设功率，则在每个控制周期，控制所述可控整流电路依次进入导通Sinφ+b°电工角，令可控整流电路处于全波整流滤波调压或半波整流滤波调压，实施供电方式控制绝缘栅双极型晶体管IGBT的功率谐振阶段，功率谐振阶段的第三电压的T+a时间宽度控制绝缘栅双极型晶体管IGBT开关状态，能够抑制绝缘栅双极型晶体管IGBT的脉冲电流，进而线圈盘L2实现毫秒极占空比的低功率连续加热。

2.根据权利要求1所述一种低功率加热的谐振电源调节方法，其特征在于：所述步骤2中，全波整流调压阶段提供多个第一脉冲信号至可控整流电路的单向可控硅SCR，并在所述半波整流调压阶段提供多个第二脉冲信号至可控整流电路的单向可控硅SCR，所述第一脉冲信号的全波整流滤波输出幅值为第一调节电压，所述第二脉冲信号的半波整流滤波输出幅值为第二调节电压，且所述第一调节电压大于所述第二调节电压。

3.根据权利要求2所述一种低功率加热的谐振电源调节方法，其特征在于：所述步骤2中，单向可控硅SCR的工作状态受控于控制模块发送的控制信号，控制信号以时间段T为一个控制周期，控制模块控制周期由导通时间段T1和截止时间段T2两部分构成，占空比K=T1/T，通过改变占空比K的值实现全波整流滤波输出和半波整流滤波输出，所述步骤2中，单向可控硅SCR导通时间范围在10mS≤T≤10000mS。

4.根据权利要求2所述一种低功率加热的谐振电源调节方法，其特征在于：所述第一脉冲信号和第二脉冲信号的脉冲宽度大于等于55us且小于等于200us。

5.根据权利要求1所述一种低功率加热的谐振电源调节方法，其特征在于：所述绝缘栅双极型晶体管IGBT的谐振阶段预设的第三脉冲电压宽度阈值的取值范围为2.5us-20.0us。

6.根据权利要求1所述一种低功率加热的谐振电源调节方法，其特征在于：所述控制模块和可控整流电路之间通过第二驱动模块实施控制，所述第二驱动模块用于输出第三驱动电压控制绝缘栅双极型晶体管IGBT处于放大状态，或者饱和状态，或者关断状态。

7.根据权利要求1所述一种低功率加热的谐振电源调节方法，其特征在于：所述绝缘栅双极型晶体管IGBT的谐振阶段中，流过所述绝缘栅双极型晶体管IGBT的电流小于或等于预设电流值。

8.根据权利要求1所述一种低功率加热的谐振电源调节方法，其特征在于：所述控制模块还用于在进入所述全波整流滤波阶段预设时间后或者在所述控制模块还用于在进入所述半波整流滤波阶段，以使所述全波整流滤波阶段、半波整流滤波阶段处于以所述电压过零点为中心构造的过零电压区间内，所述电压过零区间为-500uS至500uS。

9.一种应用上述的低功率加热的谐振电源调节方法的装置，包括线圈盘L2、控制模块、过零检测模块、电源模块及其它电路模块、绝缘栅双极型晶体管IGBT和第二驱动模块，过零检测模块、电源模块、其它电路模块、第二驱动模块分别连接于控制模块上，控制模块与绝缘栅双极型晶体管IGBT相连接，线圈盘L2与绝缘栅双极型晶体管IGBT相连接，其特征在于：控制模块连接有第一驱动模块，第一驱动模块连接有可控整流电路，可控整流电路包括有单向可控硅SCR与整流桥器、电感L1和电容C2，线圈盘L2和电感器L1相连接，电感器L1的另一端连接于单向可控硅SCR的E端，第一驱动模块连接于单向可控硅SCR的G端，整流桥器分二路，一路连接于控制模块的16脚处，另一路连接于单向可控硅SCR的A端和K端，电感L1连接于线圈盘L2的一端，电容C2的一端与电感L1相连接，电容C2的另一端连接于控制模块的17脚。

10.根据权利要求10所述低功率加热的谐振电源调节装置，其特征在于：所述控制模块的16脚和17脚之间连接有金属膜电阻RJ1。