[发明专利]一种插损计算模型构建方法、装置、设备及存储介质

说明书

本发明公开了一种插损计算模型构建方法、装置、设备及存储介质。方法包括：获取胶膜层的介质损耗因子，在胶膜层的两侧形成表面处理后的金属箔，得到第一电路板前体，利用第一电路板前体制作第一微带线，并测量第一微带线的插损，将第一微带线的插损和胶膜层的介质损耗因子代入粗糙度计算模型中计算表面处理后的金属箔的等效粗糙度，基于第二金属箔的等效粗糙度构建插损计算模型，由于等效粗糙度用于表征粗糙度和表面处理对插损的影响，从而基于第二金属箔的等效粗糙度构建插损计算模型能够对金属箔表面的插损影响进行精确描述，提高插损计算模型的准确度。

技术领域

本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种插损计算模型构建方法、装置、设备及存储介质。

背景技术

电路板设计过程中金属箔(例如铜箔)的表面粗糙度对传输线的插损在高频场合有很大的影响。如何提取并仿真计算粗糙度对插损的影响成为业界热点。

现有技术大多基于纯金属箔的表面粗糙度的分析计算，但是实际的高频材料中由于介质层的介质损耗因子较低，导致分子极性弱，因而造成金属箔与介质的附着力变差，因此，部分铜箔生产厂家要在金属箔表面做表面处理，加入一些其他金属，比如镍，铬等来增强金属箔与介质的附着力。而这些加入的金属可能会增加插损，这使得现有的插损计算模型无法对金属箔表面的插损影响进行精确描述，计算结果偏差较大。

发明内容

本发明提供一种插损计算模型构建方法、装置、设备及存储介质，能够对金属箔表面的插损影响进行精确描述，提高插损计算模型的准确度。

第一方面，本发明提供了一种插损计算模型构建方法，包括：

获取胶膜层的介质损耗因子；

在所述胶膜层的两侧形成表面处理后的金属箔，得到第一电路板前体；

利用所述第一电路板前体制作第一微带线，并测量所述第一微带线的插损；

将所述第一微带线的插损和所述胶膜层的介质损耗因子代入粗糙度计算模型中计算表面处理后的金属箔的等效粗糙度；

基于所述第二金属箔的等效粗糙度构建插损计算模型。

可选的，获取胶膜层的介质损耗因子，包括：

在胶膜层的两侧形成金属箔，得到第二电路板前体，其中，所述金属箔的表面粗糙度为已知的；

利用所述第二电路板前体制作第二微带线，并测量所述第二微带线的插损；

将所述第二微带线的插损和金属箔的表面粗糙度代入粗糙度计算模型中，反推出所述胶膜层的介质损耗因子。

可选的，插损计算模型构建方法还包括：

在介质层的两侧形成胶膜层；

在所述介质层的两侧的胶膜层上分别形成金属箔，得到第三电路板前体；

利用所述第三电路板前体制作第三微带线，并测量所述第三微带线的插损；

将所述第三微带线的插损、所述胶膜层的介质损耗因子和所述金属箔的表面粗糙度代入所述粗糙度计算模型中，反推所述介质层的介质损耗因子；

在所述介质层的两侧形成表面处理后的金属箔，得到第四电路板前体；

利用所述第四电路板前体制作第四微带线，并测量所述第四微带线的插损；

将所述第四微带线的插损和所述介质层的介质损耗因子代入所述粗糙度计算模型中计算表面处理后的金属箔的等效粗糙度；

基于所述介质层的介质损耗因子和表面处理后的金属箔的等效粗糙度构建插损计算模型。

可选的，所述粗糙度计算模型为hammerstad模型、hemisphere模型或huray模型。