[发明专利]显示设备在审
| 申请号： | 202310341421.X | 申请日： | 2010-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN116343705A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;小山润;三宅博之;津吹将志;野田耕生 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G09G3/36 | 分类号： | G09G3/36;G02F1/1368;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 宋俊寅 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示 设备 | ||
1.一种显示设备，包括：
包括晶体管的像素部分；以及
电连接到所述像素部分的栅极线驱动电路，
其中，所述晶体管包括氧化物半导体层，该氧化物半导体层包括沟道形成区，且
其中，所述像素部分被配置为以第一模式和第二模式显示，在所述第一模式的期间向所述栅极线驱动电路提供起动脉冲，所述第二模式包括停止向所述栅极线驱动电路提供起动脉冲的周期。
2.一种显示设备，包括：
包括晶体管的像素部分；以及
电连接到所述像素部分的栅极线驱动电路，
其中，所述晶体管包括氧化物半导体层，该氧化物半导体层包括沟道形成区，
其中，所述像素部分被配置为以第一模式和第二模式显示，在所述第一模式的期间向所述栅极线驱动电路提供起动脉冲，所述第二模式包括停止向所述栅极线驱动电路提供起动脉冲的周期，
其中，所述氧化物半导体层包括铟、镓和锌，且
其中，在漏电压为1V时，所述晶体管的截止状态电流为1×10-13A或更小。
3.一种显示设备，包括：
包括晶体管的像素部分；以及
电连接到所述像素部分的栅极线驱动电路
其中，所述晶体管包括氧化物半导体层，该氧化物半导体层包括沟道形成区，
其中，所述像素部分被配置为以第一模式和第二模式显示，在所述第一模式的期间向所述栅极线驱动电路提供起动脉冲，所述第二模式包括停止向所述栅极线驱动电路提供起动脉冲的周期，
其中，所述栅极线驱动电路包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，
其中，通过所述第一晶体管将第一电源线的电位提供给连接所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管的节点，
其中，所述第一电源线的电位通过所述第二晶体管提供给所述节点，且
其中，第二电源线的电位通过所述第三晶体管提供给所述节点。
4.一种显示设备，包括：
包括晶体管的像素部分；以及
电连接到所述像素部分的栅极线驱动电路，
其中，所述晶体管包括氧化物半导体层，该氧化物半导体层包括沟道形成区，
其中，所述像素部分被配置为以第一模式和第二模式显示，在所述第一模式的期间向所述栅极线驱动电路提供起动脉冲，所述第二模式包括停止向所述栅极线驱动电路提供起动脉冲的周期，
其中，所述氧化物半导体层包括铟，镓和锌，
其中，在漏电压为1V时，所述晶体管的截止状态电流为1×10-13A或更小，
其中，所述栅极线驱动电路包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，
其中，通过所述第一晶体管将第一电源线的电位提供给连接所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管的节点，
其中，所述第一电源线的电位通过所述第二晶体管提供给所述节点，且
其中，第二电源线的电位通过所述第三晶体管提供给所述节点。
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