[发明专利]一种分离氢氟酸或/和硝酸的方法及其系统在审
| 申请号: | 202310338328.3 | 申请日: | 2023-03-31 |
| 公开(公告)号: | CN116374957A | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
| 发明(设计)人: | 张正雄;修国华 | 申请(专利权)人: | 上海联风气体有限公司;上海联风能源科技有限公司 |
| 主分类号: | C01B7/19 | 分类号: | C01B7/19;C01B21/46;B01D3/14 |
| 代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 林志豪 |
| 地址: | 201422 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 分离 氢氟酸 硝酸 方法 及其 系统 | ||
本发明涉及一种分离氢氟酸或/和硝酸的方法,步骤包括:S1、将第一储罐中的待分离溶液输送至前处理系统中,并将第二储罐中的沉淀剂输送至所述前处理系统中;S2、将所述前处理系统中的滤液输送至精馏系统中,将所述精馏系统中的不凝气输送至吸收系统中,将所述精馏系统中的精馏产物输送至后处理系统中;S3、将所述后处理系统中的分离产物分别输送至第三储罐以及第四储罐中,即得分离的氢氟酸或/和硝酸以及纯净水。本发明的分离氢氟酸或/和硝酸方法及系统通过沉淀剂将氟硅酸析出,再精馏得到氢氟酸或/和硝酸,分离后氢氟酸或/和硝酸的纯度为电子级,同时获得纯净水。
技术领域
本发明涉及化工领域,尤其涉及一种分离氢氟酸或/和硝酸的方法及其系统。
背景技术
为减少太阳电池硅片表面的反射损失,会在电池硅片表面沉积一层减反射膜或制作绒面,而由于多晶硅的晶粒取向杂乱无序,常利用含氢氟酸的混合酸溶液对多晶硅表面进行化学腐蚀从而得到绒面结构。这会消耗大量的混酸,且在制绒和刻蚀工艺中,不可避免地生成金属离子和带入有机物等杂质,为控制杂质含量,就需要不断地排酸并补入新的混合酸溶液,所排出的酸液即为待分离溶液。
目前,对待分离溶液的处理方法是采用碱中和后,添加氯化钙以沉淀脱除氟离子,如此不仅处理成本较高,而且还会产生大量的废水。
因此,亟需一种分离氢氟酸或/和硝酸的方法及其系统。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术中的不足,提供一种分离氢氟酸或/和硝酸的方法及其系统。
为实现上述目的,本发明采取的技术方案是:
本发明的第一方面是提供一种分离氢氟酸或/和硝酸的方法,步骤包括:
S1、将第一储罐中的待分离溶液输送至前处理系统中,并将第二储罐中的沉淀剂输送至所述前处理系统中;
S2、将所述前处理系统中的滤液输送至精馏系统中,将所述精馏系统中的不凝气输送至吸收系统中,将所述精馏系统中的精馏产物输送至后处理系统中;
S3、将所述后处理系统中的分离产物分别输送至第三储罐以及第四储罐中,即得分离的氢氟酸或/和硝酸以及纯净水;
其中,所述前处理系统包括:沉淀单元以及过滤单元;
所述精馏系统包括:至少一个提馏-精馏单元、回流单元以及再沸单元;
所述后处理系统包括:收集混合系统以及水收集处理系统,所述水收集处理系统包括:净化单元以及离子交换单元。
优选地,所述沉淀剂包括:用于沉淀所述待分离溶液中氢硅氟酸的硝酸盐。
优选地,所述硝酸盐包括:硝酸钾、硝酸钠、硝酸钙或硝酸钡中的至少一种。
优选地,所述精馏单元的操作压力低于0.1MPa,操作温度为110℃-150℃。
本发明的第二方面是提供一种分离氢氟酸或/和硝酸的系统,适用于如前所述的方法,包括:
第一储罐,用于储存待分离溶液;
第二储罐,用于储存沉淀剂;
前处理系统,所述第一储罐的第一储罐出料口与所述前处理系统的第一进料口管路连接,所述第二储罐的第二储罐出料口与所述前处理系统的第二进料口管路连接;
精馏系统,所述前处理系统的第一前处理系统出料口与所述精馏系统的进料口管路连接;
后处理系统,所述后处理系统包括:
收集混合系统,所述精馏系统的第一精馏系统出料口与所述收集混合系统的进料口管路连接;
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