[发明专利]一种基于超材料的太赫兹微流体传感器结构

权利要求书

1.一种基于超材料的太赫兹微流体传感器结构，其特征在于：从上到下依次设有金属反射盖板(1)、微流体通道层(3)、超材料金属谐振结构层(4)、衬底(5)；所述超材料金属谐振结构层(4)表面设有金属孔阵列(41)，沿金属孔阵列(41)长度方向所述微流体通道层(3)厚度递增。

2.根据权利要求1所述的传感器结构，其特征在于：所述微流体通道层(3)内注入待测液，通过沿金属孔阵列(41)长度方向调整光谱检测区域调谐光谱强度。

3.根据权利要求1所述的传感器结构，其特征在于：所述衬底(5)材料为聚酰亚胺，所述超材料金属谐振结构层(4)和金属反射盖板(1)的材料均为铝。

4.根据权利要求1所述的传感器结构，其特征在于：所述衬底(5)为正方形结构，尺寸为50*50mm，所述金属反射盖板(1)厚度1mm，所述超材料金属谐振结构层(4)厚度为20μm，所述金属孔阵列(41)外轮廓长40mm、宽为10～30mm，其中单元结构直径为100～130μm、周期为200～250μm。

5.根据权利要求4所述的传感器结构，其特征在于：所述金属孔阵列(41)外轮廓为10*40mm，其中单元结构直径为125μm、周期为236μm。

6.根据权利要求4所述的传感器结构，其特征在于：所述微流体通道层(3)厚度10～100μm，两端厚度差大于0、小于等于90μm。

7.根据权利要求6所述的传感器结构，其特征在于：所述微流体通道层(3)一端厚度20μm，另一端厚度50μm。

8.根据权利要求4所述的传感器结构，其特征在于：所述金属反射盖板(1)表面开设有进液口(6)和出液口(7)，两者分别位于金属反射盖板(1)两对角处。

9.根据权利要求1所述的传感器结构，其特征在于：所述金属反射盖板(1)与超材料金属谐振结构层(4)之间的微流体通道层(3)四周以胶垫(2)封闭。

10.根据权利要求1所述的传感器结构，其特征在于：所述超材料金属谐振结构层(4)与衬底(5)之间以树脂胶粘合。