[发明专利]一种膜侧谷子高产栽培方法

权利要求书

1.一种谷子高产栽培方法，其特征在于，包括起垄、覆膜，进行膜侧沟条播种；所述起垄与覆膜同时进行，垄面宽28-32cm，呈圆顶状，垄沟宽23-27cm，垄高8-10cm，垄面覆盖宽35-40cm地膜，地膜两侧各种一行谷子。

2.根据权利要求1所述的谷子高产栽培方法，其特征在于，所述地膜为抗老化加厚地膜，厚度0.008-0.01mm。

3.根据权利要求1所述的谷子高产栽培方法，其特征在于，所述起垄前施基肥，施农家肥3000kg/亩以上，N肥7-10kg/亩，P₂O₅肥6.5-8kg/亩。

4.根据权利要求1所述的谷子高产栽培方法，其特征在于，所述谷子要求抗逆性强、丰产性好的品种，纯度达到98％，净度达到98％，发芽率达到95％以上。

5.根据权利要求4所述的谷子高产栽培方法，其特征在于，所述谷子为包衣种子；或用种子量0.3％-0.5％的阿普隆或萎锈灵粉拌种，再用种子量0.3％-0.5％的拌种双、粉锈宁或多菌灵可湿性粉剂拌种。

6.根据权利要求1所述的谷子高产栽培方法，其特征在于，所述谷子在土壤10cm地温稳定在8℃以上时播种，播种深度4-5cm。

7.根据权利要求6所述的谷子高产栽培方法，其特征在于，所述谷子播种量0.4-1.0kg/亩。

8.根据权利要求1所述的谷子高产栽培方法，其特征在于，还包括于谷子五叶一心期间苗，七叶期定苗，分蘖品种留苗2-3株/穴，保苗2万-2.5万株/亩；不分蘖品种留苗3-5株/穴，保苗3-5万株/亩。