[发明专利]缓存分配方法及装置、电子设备在审
| 申请号: | 202310301544.0 | 申请日: | 2023-03-24 |
| 公开(公告)号: | CN116401049A | 公开(公告)日: | 2023-07-07 |
| 发明(设计)人: | 林中松 | 申请(专利权)人: | 鼎道智芯(上海)半导体有限公司 |
| 主分类号: | G06F9/50 | 分类号: | G06F9/50;G06F12/0893 |
| 代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 韩园园;张颖玲 |
| 地址: | 201203 上海市浦东新区中国(*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 缓存 分配 方法 装置 电子设备 | ||
1.一种缓存分配方法,所述方法包括:
确定多个候选内存缓冲区;
将所述多个候选内存缓冲区中属性信息符合预设要求的候选内存缓冲区,确定为目标内存缓冲区;其中,所述属性信息与对应的所述候选内存缓冲区的使用频率相关;
在缓存区内为所述目标内存缓冲区锁定对应的缓存区域,以缓存所述目标内存缓冲区内的数据。
2.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括:
确定第一状态的候选内存缓冲区;其中,所述第一状态对应于候选内存缓冲区有对应的被锁定的缓存区域;
如果所述第一状态的候选内存缓冲区的属性信息不再符合所述预设要求,释放所述第一状态的候选内存缓冲区所对应的缓存区域;
对应地,所述确定多个候选内存缓冲区,包括:
确定多个第二状态的候选内存缓冲区;其中,所述第二状态对应于候选内存缓冲区未被锁定对应的缓存区域。
3.根据权利要求1或2所述的方法,所述方法还包括:
根据所述缓存区的可用尺寸,确定筛选条件;
将满足所述筛选条件的内存缓冲区,确定为候选内存缓冲区。
4.根据权利要求3所述的方法,所述筛选条件包括如下至少一种:
内存缓冲区的尺寸小于等于第一预设尺寸,所述第一预设尺寸为所述缓存区的可用尺寸;
内存缓冲区存在更新;
内存缓冲区的更新区域的尺寸大于等于第二预设尺寸;
内存缓冲区用于存储待显示的数据。
5.根据权利要求1或2所述的方法,所述将所述多个候选内存缓冲区中属性信息符合预设要求的候选内存缓冲区,确定为目标内存缓冲区,包括:
基于所述多个候选内存缓冲区中每一候选内存缓冲区的属性信息,确定所述每一候选内存缓冲区的刷新参数;
将所述刷新参数符合第一要求的候选内存缓冲区,确定为所述目标内存缓冲区。
6.根据权利要求5所述的方法,所述将所述刷新参数符合第一要求的候选内存缓冲区,确定为所述目标内存缓冲区,包括:
根据所述刷新参数,将所述多个候选内存缓冲区进行排序,得到排序结果;
基于所述排序结果,将排序位置满足第二要求的候选内存缓冲区,确定为所述目标内存缓冲区。
7.根据权利要求5所述的方法,所述将所述刷新参数符合第一要求的候选内存缓冲区,确定为所述目标内存缓冲区,包括:
根据电子设备的存储属性,确定刷新参数阈值;
将所述刷新参数大于等于所述刷新参数阈值的候选内存缓冲区,确定为所述目标内存缓冲区。
8.根据权利要求5所述的方法,所述属性信息至少包括:内存缓冲区的更新频率、内存缓冲区的更新区域的尺寸、内存缓冲区的格式的像素字节值中的至少一个信息;
对应地,所述基于所述多个候选内存缓冲区中每一候选内存缓冲区的属性信息,确定所述每一候选内存缓冲区的刷新参数,包括:
基于每一候选内存缓冲区的更新频率、每一候选内存缓冲区的更新区域的尺寸和每一候选内存缓冲区的格式的像素字节值中的至少一个信息,确定所述每一候选内存缓冲区的刷新参数。
9.一种缓存分配装置,所述装置包括:
管理模块,用于确定电子设备的多个候选内存缓冲区;将所述多个候选内存缓冲区中属性信息符合预设要求的候选内存缓冲区,确定为目标内存缓冲区;其中,所述属性信息与所述候选内存缓冲区的使用频率相关;
驱动模块,用于在所述电子设备的系统级缓存区内为所述目标内存缓冲区锁定对应的缓存区域,以缓存所述目标内存缓冲区内的数据。
10.一种电子设备,所述电子设备包括:
多个候选内存缓冲区;
缓存区;
处理器,用于确定所述多个候选内存缓冲区;将所述多个候选内存缓冲区中属性信息符合预设要求的候选内存缓冲区,确定为目标内存缓冲区;其中,所述属性信息与对应的所述候选内存缓冲区的使用频率相关;在所述缓存区内为所述目标内存缓冲区锁定对应的缓存区域,以缓存所述目标内存缓冲区内的数据。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于鼎道智芯(上海)半导体有限公司,未经鼎道智芯(上海)半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310301544.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





