[发明专利]基于叉状互补EBG的双频段空间电磁干扰抑制封装结构在审
申请号: | 202310300711.X | 申请日: | 2023-03-23 |
公开(公告)号: | CN116322009A | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 朱浩然;王宇翔 | 申请(专利权)人: | 安徽大学 |
主分类号: | H05K9/00 | 分类号: | H05K9/00;H03H7/01;H04B15/00;H04B15/02;H04B1/00;H04B1/40 |
代理公司: | 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 | 代理人: | 郑浩 |
地址: | 230601 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 互补 ebg 双频 空间 电磁 干扰 抑制 封装 结构 | ||
1.基于叉状互补EBG的双频段空间电磁干扰抑制封装结构,其特征在于,包括:测试介质基板(11)、金属框架基板(21);所述的测试介质基板(11)与金属框架基板(21)之间形成空气介质间隙;
所述的金属框架基板(21)的金属层(701)与金属框架基板(21)表面贴的多个叉状互补紧凑双频蘑菇型EBG(91)形成的阵列以及测试介质基板(11)的金属地层(801)三者之间构成串联谐振电路;
所述的叉状互补紧凑双频蘑菇型EBG(91)由外贴片(901)、内贴片(902)级联构成,外贴片(901)和内贴片(902)之间刻蚀一条间隙隔开,外贴片(901)和内贴片(902)均通过连接通孔(903)连接到金属框架基板(21)的金属层(701)上;所述的外贴片(901)、内贴片(902)均与金属框架基板(21)的金属层(701)以及测试介质基板(11)的金属地层(801)构成垂直方向上的低阻抗路径;通过调节外贴片(901)和内贴片(902)之间的间隙大小来改变互容互感,实现双频独立调节。
2.根据权利要求1所述的基于叉状互补EBG的双频段空间电磁干扰抑制封装结构,其特征在于,所述的测试介质基板(11)的上设置有:辐射源微带线(401)、同轴馈电金属柱(402)、50Ω电阻终端(403);所述的辐射源微带线(401)沿着x轴方向平铺在测试介质基板(11)的上表面,辐射源微带线(401)的一端通过同轴馈电金属柱(402)连接到金属地层(801)实现馈电,辐射源微带线(401)的另一端与50Ω电阻终端(403)的一端连接,50Ω电阻终端(403)的另一端垂直连接到金属地层(801)上。
3.根据权利要求2所述的基于叉状互补EBG的双频段空间电磁干扰抑制封装结构,其特征在于,所述的测试介质基板(11)的上还设置有:受扰源双频PIFA天线(61);所述的受扰源双频PIFA天线(61)平铺于测试介质基板(11)的上表面边缘处,受扰源双频PIFA天线(61)的接地端(611)和馈电端(612)穿过测试介质基板(11)与金属地层(801)垂直连接。
4.根据权利要求3所述的基于叉状互补EBG的双频段空间电磁干扰抑制封装结构,其特征在于,所述的受扰源双频PIFA天线(61)的第一个频段被设计在3.3GHz,第二谐振频率被设计在5.1GHz,两个频段分别是基于5G通信的3.3GHz频段和WLAN ISM的5.2GHz频段考虑设计的。
5.根据权利要求3所述的基于叉状互补EBG的双频段空间电磁干扰抑制封装结构,其特征在于,所述的测试介质基板(11)的上还设置有:第一金属化通孔阵列(501)、第二金属化通孔阵列(502);所述的辐射源微带线(401)的四周设置有第一金属化通孔阵列(501),测试介质基板(11)的外缘四周设置有第二金属化通孔阵列(502)。
6.根据权利要求1所述的基于叉状互补EBG的双频段空间电磁干扰抑制封装结构,其特征在于,所述的测试介质基板(11)与金属框架基板(21)之间采用多个螺丝(301)固定连接。
7.根据权利要求1所述的基于叉状互补EBG的双频段空间电磁干扰抑制封装结构,其特征在于,所述的串联谐振电路的谐振频率计算方法如下:
1)计算串联谐振电路的一维等效LC电路的等效电容C1和C0,间隙电容Cg;
所述的串联谐振电路的一维等效LC电路的等效电容C1和C0的计算公式如下:
所述的间隙电容Cg的计算公式为:
其中,其中,C0表示叉状互补紧凑双频蘑菇型EBG(91)到金属地层(801)之间的等效平行板电容,C1表示叉状互补紧凑双频蘑菇型EBG(91)到金属层(701)之间的等效平行板电容,t0表示叉状互补紧凑双频蘑菇型EBG(91)到金属地层(801)之间的距离,t1表示叉状互补紧凑双频蘑菇型EBG(91)到金属层(701)之间的距离,Δ是考虑边缘电容效应的修正因子,L、W分别是叉状互补紧凑双频蘑菇型EBG(91)有效长和宽,t是连接通孔(903)的高度,w是贴片的有效宽度,g是贴片间隙距离,ε0是自由空间介电常数,εr是相对介电常数介电常数;
2)计算贴片自感LS、贴片互感M、通孔电感LV,从而计算总电感Lt;
所述的贴片自感LS的计算公式为:
所述的贴片互感M的计算公式如下:
所述的通孔电感LV的计算公式如下:
因此,总电感Lt的:
Lt=Ls+M+Lv (7)
其中,li是矩形贴片长度,ai、bi分别是矩形贴片的宽度和厚度,M1是外贴片(901)、内贴片(902)之间的贴片互感,M2是叉状互补紧凑双频蘑菇型EBG(91)的外贴片(901)与其相邻的叉状互补紧凑双频蘑菇型EBG(91)的内贴片(902)之间的贴片互感,μ0是自由空间磁导率;uj是相邻贴片之间重叠距离,vj是相邻贴片之间的分割距离,j为计数因子,j=1,2....,m,mj为单个互感片的互感值;t是通孔高度,r是通孔半径;
3)计算串联谐振电路的谐振频率,其计算公式如下:
其中,fc为串联谐振电路的谐振频率。
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