[发明专利]一种基于二维三硒化铌纳米带的阻变式随机存储器件及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种基于二维三硒化铌纳米带的阻变式随机存储器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在硅衬底的表面制备二维三硒化铌纳米带，得到表面有二维三硒化铌纳米带的硅衬底；

在所述表面含有二维三硒化铌纳米带的硅衬底的表面涂覆光刻胶后，在所述二维三硒化铌纳米带的两端分别刻蚀出电极位点，制备电极，去胶后，进行锂化，得到所述基于二维三硒化铌纳米带的阻变式随机存储器件。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述二维三硒化铌纳米带的制备原料包括铌粉、硒粉和运输剂；

所述运输剂为碘单质。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述铌粉、硒粉和运输剂的质量比为250:648：(30～40)。

4.如权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述生长二维三硒化铌纳米带的程序包括：由室温升温至650～700℃，保温600～700min后，降温至室温。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述升温的升温速率为2.8～3℃/min；

所述降温的降温速率为1.8～2℃/min。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电极的延伸方向平行与所述二维三硒化铌纳米带的方向或垂直于所述二维三硒化铌纳米带的方向。

7.如权利要求1或6所述的制备方法，其特征在于，在所述二维三硒化铌纳米带的两端制备的电极均为依次层叠设置的钛电极和金电极；或依次层叠设置的Bi电极和Au电极。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述去胶为去胶溶剂去胶，所述去胶溶剂为二甲基亚砜。

9.权利要求1～8任一项所述的制备方法制备得到的基于二维三硒化铌纳米带的阻变式随机存储器件，包括硅衬底和设置在所述硅衬底表面的二维三硒化铌纳米带；

还包括搭建在所述二维三硒化铌纳米带两端的电极。

10.权利要求9所述的基于二维三硒化铌纳米带的阻变式随机存储器件在非易失性存储领域中的应用。