[发明专利]基于ZIF-67纳米颗粒原位合成的光热抗菌改性棉布及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种基于ZIF-67纳米颗粒原位合成的光热抗菌改性棉布的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在棉布上原位合成ZIF-67纳米颗粒，得到基于ZIF-67纳米颗粒原位合成的光热抗菌改性棉布。

2.根据权利要求1所述的基于ZIF-67纳米颗粒原位合成的光热抗菌改性棉布的制备方法，其特征在于：所述的棉布为原棉纤维棉布或非疏水改性棉纤维棉布。

3.根据权利要求2所述的基于ZIF-67纳米颗粒原位合成的光热抗菌改性棉布的制备方法，其特征在于：所述棉布的为原棉纤维棉布，其径向纱线为棉布纱线，纬向为棉布纱线；其红外特征峰值包含2901.55cm^-1处、3332.52cm^-1处、1426.35cm^-1处和1029.22cm^-1处。

4.根据权利要求1至3任一所述的基于ZIF-67纳米颗粒原位合成的光热抗菌改性棉布的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

1)氯化钴甲醇溶液的制备：将六水氯化钴溶于甲醇中，超声分散均匀以形成浓度为180—220mM的氯化钴甲醇溶液；

2)将棉布加入到步骤1)所得溶液中，室温搅拌；

3)2-甲基咪唑甲醇溶液的制备：将2-甲基咪唑溶于甲醇中，超声分散均匀以形成浓度为1800—2200mM的2-甲基咪唑甲醇溶液；

4)将步骤3)所得2-甲基咪唑甲醇溶液按照体积比1:1加入到步骤2)所得溶液中，继续室温搅拌；

5)从步骤4)所得溶液中取出棉布，在烘箱中干燥过夜，即可得到基于ZIF-67纳米颗粒原位合成的光热抗菌改性棉布。

5.一种根据权利要求1至4任一所述的制备方法制备得到的基于ZIF-67纳米颗粒原位合成的光热抗菌改性棉布。

6.根据权利要求5所述的基于ZIF-67纳米颗粒原位合成的光热抗菌改性棉布，其特征在于：其红外特征峰值包含755.63cm^-1处、1577.72cm^-1处、2901.55cm^-1处、3332.52cm^-1处、1426.35cm^-1处和1029.22cm^-1处。

7.根据权利要求5所述的基于ZIF-67纳米颗粒原位合成的光热抗菌改性棉布，其特征在于：棉布上ZIF-67纳米颗粒的负载量为1.6±0.1mg/cm²。

8.一种根据权利要求5至7任一所述的基于ZIF-67纳米颗粒原位合成的光热抗菌改性棉布的应用，其特征在于：用于制备光热抗菌材料。

9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于：光热抗菌改性棉布在光照下进行抗菌，光照条件为：采用波长为808nm的近红外光；激光功率密度为10.5W/cm²。

10.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，所抑制的菌种包括但不限于：耐药大肠杆菌(Drug Resistant Escherichia coli,DREC)和耐甲氧西林金黄色葡萄球菌(Methicillin Resistant Staphylococcus aureus,MRSA)。