[发明专利]一种基于忆阻器的数字编码超材料在审
| 申请号： | 202310250092.8 | 申请日： | 2023-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN116093630A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 刘洋 | 申请（专利权）人： | 陕西格芯国微半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 712000 陕西省西安市西咸新区沣东新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 忆阻器 数字 编码 材料 | ||
1.一种基于忆阻器的数字编码超材料，其特征在于，包括，金属谐振单元；所述金属谐振单元由4个忆阻器和1个十字形谐振器组成。
2.根据权利要求1所述一种基于忆阻器的数字编码超材料，其特征在于，所述忆阻器由顶电极、底电极、阻变层以及衬底层组成；所述忆阻器的顶电极与底电极共同构成一个谐振环，也可以单个电极构成谐振环。
3.根据权利要求1所述一种基于忆阻器的数字编码超材料，其特征在于，所述忆阻器的数量可以为2个或多个。
4.根据权利要求1所述一种基于忆阻器的数字编码超材料，其特征在于，所述忆阻器的阻变层由VO2或者VOx与W、Nb的反应物中的一种或多种制作而成。
5.根据权利要求1所述一种基于忆阻器的数字编码超材料，其特征在于，所述顶电极与底电极由碳纳米管、银纳米线、石墨烯或者ITO，In2O3：Sn、AZO，ZnO：Al、FTO，SnO2：F、ATO，Sn2O：Sb、Pt、Pd、W、Nb、Ag、Au中的一种或多种制作而成。
6.根据权利要求1所述一种基于忆阻器的数字编码超材料，其特征在于，所述衬底包括绝缘衬底、半导体衬底或导电衬底。
7.根据权利要求6所述一种基于忆阻器的数字编码超材料，其特征在于，所述绝缘衬底由热氧化硅片、玻璃、陶瓷或塑料中的一种或者多种制作而成。
8.根据权利要求6所述一种基于忆阻器的数字编码超材料，其特征在于，所述半导体衬底由硅、氧化物半导体、氮化物半导体中的一种或者多种制作而成。
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