[发明专利]高边自举升压双N-MOS管充电控制方法、电路及充电器

权利要求书

1.一种高边自举升压双N-MOS管充电控制电路，其特征在于，包括主电源充电输出端口、高边自举升压电路、高边双N-MOS管电路和MCU_PWM驱动电路，所述MCU_PWM驱动电路通过所述主电源输出端口提供PWM信号，用于驱动所述高边自举升压电路和所述高边双N-MOS管电路进行充电，当所述MCU_PWM驱动电路的输出为非PWM信号时，所述高边双N-MOS管电路自动关闭，从而停止充电并防止电流倒灌。

2.如权利要求1所述的充电控制电路，其特征在于，还包括低压差线性稳压器LDO，所述主电源输出端口通过所述低压差线性稳压器LDO提供参考电压。

3.如权利要求1所述的充电控制电路，其特征在于，所述高边自举升压电路包括自举二极管、自举电容和控制环路；

当所述MCU_PWM驱动电路提供的PWM信号为持续低电平时，所述自举电容电容两端的电压为基准电压，所述高边双N-MOS管电路关闭；当所述MCU_PWM驱动电路提供的PWM信号为持续高电平时，所述自举电容电容两端切换为地，所述高边双N-MOS管电路关闭；在所述MCU_PWM驱动电路提供的PWM信号由低电平切换为高电平的过程中，所述自举电容电容两端的电压叠加到所述高边双N-MOS管，驱动所述高边双N-MOS管正常工作，进行充电；在所述MCU_PWM驱动电路提供的PWM信号由高电平切换为低电平的过程中，所述自举电容电容再次充电，并维持所述高边双N-MOS管的正常工作状态，继续进行充电。

4.如权利要求3所述的充电控制电路，其特征在于，所述高边双N-MOS管电路包括通过MOS管Q1、MOS管Q2、电阻R3和电阻R4组成的共G极和S极的双路开关电路，通过三极管Q7、二极管D3、电阻R3、电阻R4、电阻R5和电阻R10组成的双N-MOS管的VGS放电回路；

当所述双N-MOS管共用端的VGS电压为低时，所述MOS管Q1和所述MOS管Q2均关闭，此时电源POWER_OUT+端口不能向电池BAT+充电，同时电池BAT+端口也不能向所述电源POWER_OUT+端口倒灌电流，当所述双N-MOS管共用端的VGS电压为高时，所述MOS管Q1和所述MOS管Q2均导通，此时所述电源POWER_OUT+端口向所述电池BAT+充电。

5.如权利要求3所述的充电控制电路，其特征在于，所述MCU_PWM驱动电路包括三极管(Q3、Q4、Q5、Q6)、电容(C1，C2，C3)、电阻(R1，R2，R7，R8)和稳压二极管ZD1、二极管D2，其中，通过所述晶体三极管(Q3，Q4)、所述电阻(R7，R8)组成共基极控制电路，通过所述晶体三极管(Q5，Q4)进行控制逻辑反向，通过所述晶体三极管(Q3，Q6)、所述电阻(R1，R3)、所述二极管D2和所述电容C3组成双N-MOS驱动控制逻辑单元；

当所述MCU_PWM驱动电路提供的PWM信号为持续低电平时，所述晶体三极管(Q3，Q6)关闭，由所述电容C3剩余能量驱动所述双N-MOS管；当所述MCU_PWM驱动电路提供的PWM信号为持续高电平时，所述晶体三极管Q6导通，此时由所述电容(C1，C2)、所述晶体三极管Q6、所述二极管D3、所述电阻(R3，R4，R6)组成驱动电路，驱动所述双N-MOS管。

6.如权利要求4所述的充电控制电路，其特征在于，所述充电控制电路是AC-DC输出智能型充电控制电路或DC-DC输出智能型充电控制电路。

7.一种充电器，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的高边自举升压双N-MOS管充电控制电路。

8.如权利要求7所述的充电器，其特征在于，所述充电器为动力电池充电器。