[发明专利]一种基于IGCT的大功率水冷单元阀串结构在审

专利信息
申请号: 202310182476.0 申请日: 2023-02-23
公开(公告)号: CN116317454A 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: 白羽;赵彪;蔡放;屈鲁;余占清;曾嵘 申请(专利权)人: 清华大学;清华四川能源互联网研究院
主分类号: H02M1/00 分类号: H02M1/00;H02M1/32;H05K7/20
代理公司: 北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11594 代理人: 孔凡梅
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 igct 大功率 水冷 单元 结构
【权利要求书】:

1.一种基于IGCT的大功率水冷单元阀串结构,其特征在于,包括IGCT阀串(1)、直流支撑电容组件(2)、第一铜排组件(3)和框架组件(4);

其中,所述直流支撑电容组件(2)和所述IGCT阀串(1)分别设置在所述框架组件(4)两侧,所述直流支撑电容组件(2)通过所述第一铜排组件(3)与所述IGCT阀串(1)连接;所述IGCT阀串(1)包括半桥功率模块(106),所述半桥功率模块(106)包括层叠设置的二极管器件(1061)、IGCT器件(1062)和水冷散热器(1063),每个IGCT器件(1062)、每个二极管器件(1061)两侧均与水冷散热器(1063)配合。

2.根据权利要求1所述的基于IGCT的大功率水冷单元阀串结构,其特征在于,所述IGCT阀串(1)还包括设置在水冷散热器(1063)上的缓冲回路电阻(111)、钳位二极管(112)和均压电阻(113)。

3.根据权利要求1所述的基于IGCT的大功率水冷单元阀串结构,其特征在于,所述半桥功率模块(106)包括从上往下依次层叠设置的第一水冷散热器、半桥上二极管器件D1、第二水冷散热器、半桥上IGCT器件S1、第三水冷散热器、半桥下IGCT器件S2、第四水冷散热器、半桥下二极管器件D2、第五水冷散热器。

4.根据权利要求1所述的基于IGCT的大功率水冷单元阀串结构,其特征在于,所述半桥功率模块(106)包括从上往下依次层叠设置的第一水冷散热器、半桥上IGCT器件S1、第二水冷散热器、半桥下IGCT器件S2、第三水冷散热器、半桥下二极管器件D2、第四水冷散热器、半桥上二极管器件D1、第五水冷散热器。

5.根据权利要求2所述的基于IGCT的大功率水冷单元阀串结构,其特征在于,所述IGCT阀串(1)还包括缓冲回路电容(110),所述缓冲回路电容(110)一端通过铜排固定在所述钳位二极管(112)上,另一端通过直流负极母排固定在水冷散热器(1063)上。

6.根据权利要求5所述的基于IGCT的大功率水冷单元阀串结构,其特征在于,所述框架组件(4)包括底框架(41)、支撑框架(42)、上盖板(43)、上盖连接板(44)、前面板、后面板和侧面板;

其中,所述IGCT阀串(1)和所述直流支撑电容组件(2)分别固定设置在底框架(41)两侧,所述支撑框架(42)底部与所述底框架(41)连接,所述IGCT阀串(1)固定在所述支撑框架(42)内部,所述上盖板(43)设置在所述支撑框架(42)顶部,所述上盖板(43)一侧通过所述上盖连接板(44)与所述直流支撑电容组件(2)上端连接,所述支撑框架(42)前后侧面分别设置有所述前面板、所述后面板,所述支撑框架(42)的左侧面还设置有所述侧面板。

7.根据权利要求6所述的基于IGCT的大功率水冷单元阀串结构,其特征在于,所述水冷单元阀串结构还包括旁路接触器(5)、取能电源(6)和水冷阳极电抗(7);

其中,所述旁路接触器(5)靠近所述IGCT阀串(1)设置在所述底框架(41)上;所述取能电源(6)固定设置在所述支撑框架(42)上,位于所述旁路接触器(5)上方;所述水冷阳极电抗(7)设置在所述IGCT阀串(1)的上方。

8.根据权利要求7所述的基于IGCT的大功率水冷单元阀串结构,其特征在于,所述IGCT阀串(1)还包括第一压板(101)、第二压板(102)、压紧组件(103)、第一绝缘垫板(104)、第二绝缘垫板(105)和拉杆组件(107);

其中,所述第一压板(101)通过所述拉杆组件(107)与所述第二压板(102)可拆卸连接,所述压紧组件(103)设置在所述第一压板(101)上,所述压紧组件(103)将所述第一绝缘垫板(104)、所述半桥功率模块(106)、所述第二绝缘垫板(105)依次压装在所述第一压板(101)和所述第二压板(102)之间。

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