[发明专利]一种产生高精度二阶温度系数补偿电流的方法及电路

权利要求书

1.一种V型一阶温漂电流生成电路，其特征在于，包括：

电流镜PM1/PM2：由PMOS管PM1和PMOS管PM2构成共源共栅结构一起构成电流镜，所述PMOS管PM1和PMOS管PM2的源极连接并接到电源VDD；

开关S2、S3：所述开关S2与S3并接后与PMOS管PM1的漏极和PMOS管PM1、PM2的栅极连接；

NMOS管NM1、NM2、NM3：所述NMOS管NM1的漏极与电源VDD连接，源极与电流源I_S1、三极管Q7、Q8的基极连接并形成节点VQ，栅极与开关S1和三极管Q7的集电极连接；所述NMOS管NM2的漏极与开关S2连接，源极与电流源I_BG、电流源I_PTAT和迟滞比较器COMP正输入端连接并形成节点VX；所述NMOS管NM3的漏极与开关S3连接，源极与三极管Q8的集电极连接；

电流源I_BG、电流源I_PTAT、电流源I_S1：所述电流源I_BG中流过电流为I_BG且一端与电源VDD连接；所述电流源I_PTAT流过电流为I_PTAT且一端连接电源VSS；所述电流源I_S1流过电流为I_S1且一端与电源VSS连接；

三极管Q7、Q8：所述三极管Q7、Q8组成一个电流镜，所述三极管Q7的集电极与所述NMOS管NM1的栅极连接，所述三极管Q7、Q8的发射极连接并与电源VSS连接；

迟滞比较器COMP：所述迟滞比较器的负输入端电压输入参考电压VL；所述迟滞比较器的正输入端与节点VX连接，所述迟滞比较器的输出端K1控制开关S1、开关S3，所述输出端K1与逆变器INV连接后的输出端K1B控制开关S2。

2.基于权利要求1所述的一种V型一阶温漂电流生成电路的一种使V型一阶温漂电流I_V生成二阶温漂系数补偿电流的电路，其特征在于，包括：

PMOS管PM3、PM4：所述PMOS管PM3和PMOS管PM4构成共源共栅结构形成电流镜：所述电流镜的比例为1：k，所述PMOS管PM3、PM4的源极连接并与电源VDD连接，所述PMOS管PM3的漏极和PMOS管PM3、PM4的栅极均与NMOS管NM6的漏极连接；

NMOS管NM4、NM5、NM6：所述NMOS管NM4的漏极与电源VDD连接、栅极与电流源Iv、三极管Q1的集电极和NMOS管NM6的栅极连接，源极分别与三极管Q1的基极连接、与三极管Q3的基极连接以及与电流源I_S2的一端连接并形成节点V_Y；所述NMOS管NM5的漏极与电源VDD连接、栅极与电流源I_BG1一端和三极管Q3的集电极连接、源极与三极管Q5的基极和电流源I_S3的一端连接；所述NMOS管NM6的源极与三极管Q6的集电极、基极连接；

电流源Iv、电流源I_BG、电流源I_S2、电流源I_S3：所述电流源Iv中流过电流为Iv且其一端与电源VDD连接；所述电流源I_BG中流过电流为I_BG且其一端与电源VDD连接；所述电流源I_S2中流过电流为I_S2且其一端与电源VSS连接；所述电流源I_S3中流过电流为I_S3且一端与电源VSS连接；

三极管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6：所述三极管Q1的集电极输入电流为I_C1，基极输入的电流为I_B1，发射极分别与三极管Q2的集电极连接且流入三极管Q2的集电极的电流为I_C2、与三极管Q2的基极连接且流入三极管Q2的基极的电流为I_B2；所述三极管Q3的集电极流入的电流为I_C3、发射极与三极管Q5的集电极和三极管Q4的基极连接，所述三极管Q6的发射极输出电流为I_C4、与三极管Q4的集电极连接；所述三极管Q2、Q5、Q4的发射极连接并与电源VSS连接。