[发明专利]一种CVBS复合信号低通滤波隔离电路

权利要求书

1.一种CVBS复合信号低通滤波隔离电路，其特征在于，包括依次串联连接的衰减器以及二阶低通滤波电路；

所述二阶低通滤波电路包括二阶低通滤波电路输入端、二阶低通滤波电路输出端、电感、第一电容、第二电容以及第三电容；所述电感串联在所述二阶低通滤波电路输入端和所述二阶低通滤波电路输出端之间，所述第一电容与所述电感并联，所述二阶低通滤波电路输入端通过所述第二电容接地，所述电感与所述二阶低通滤波电路输出端之间经第三电容接地；所述二阶低通滤波电路输入端与所述衰减器的输出端电连接；

所述衰减器用于当高频干扰信号进来时，呈现高阻特性，对所述高频干扰信号进行抑制。

2.根据权利要求1所述的CVBS复合信号低通滤波隔离电路，其特征在于，所述衰减器的输入端与CVBS信号输出端电连接。

3.根据权利要求1所述的CVBS复合信号低通滤波隔离电路，其特征在于，所述二阶低通滤波电路输出端与芯片终端电连接。

4.根据权利要求1所述的CVBS复合信号低通滤波隔离电路，其特征在于，所述衰减器为600R/100MHz的磁珠。

5.根据权利要求4所述的CVBS复合信号低通滤波隔离电路，其特征在于，所述600R/100MHz的磁珠串联在CVBS信号输出电压的线路上。

6.根据权利要求5所述的CVBS复合信号低通滤波隔离电路，其特征在于，当所述600R/100MHz的磁珠的频率为100MHz时，其阻值上升至600R。

7.根据权利要求1所述的CVBS复合信号低通滤波隔离电路，其特征在于，所述二阶低通滤波电路为π型滤波器。

8.根据权利要求1所述的CVBS复合信号低通滤波隔离电路，其特征在于，所述第一电容的电容值为22pF。

9.根据权利要求1所述的CVBS复合信号低通滤波隔离电路，其特征在于，所述第二电容和第三电容的电容值为270pF。

10.根据权利要求1所述的CVBS复合信号低通滤波隔离电路，其特征在于，所述电感的电感量为1.8uH/0.1A。