[发明专利]一种纳米薄膜温压复合传感器及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种纳米薄膜温压复合传感器，其特征在于，包括：

引压嘴，

所述引压嘴上设有引流通道和温敏元件安装槽口；

所述引流通道用于传输被测量介质；

所述引流通道连接芯体；

所述温敏元件安装槽口用于安装温敏元件；

所述芯体包括钢基，

所述钢基上设有绝缘层；

所述绝缘层表面部分区域设置有压敏层；

所述绝缘层表面另一部分区域设置有温敏层；

所述绝缘层表面另一部分区域设置有焊接层；

所述绝缘层表面剩余部分区域设有保护层；

所述压敏层为NiCrS应变层；

所述NiCrS应变层包括如下重量分数的元素：

Ni 45%~55%、Cr 45%~55%和S 0.1%~3.5%；

所述压敏层形成应变电阻；

所述温敏层形成温敏电阻；

所述应变电阻形成两组惠斯通电桥；

所述温敏层为金属纳米薄膜；

所述温敏电阻和所述温敏元件均电连接有温度信号比较电路；

所述温度信号比较电路电连接有信号调理电路。

2.根据权利要求1所述的纳米薄膜温压复合传感器，其特征在于，所述金属纳米薄膜的厚度为100nm~500nm。

3.根据权利要求1所述的纳米薄膜温压复合传感器，其特征在于，所述金属纳米薄膜包括金属铂纳米薄膜。

4.根据权利要求1所述的纳米薄膜温压复合传感器，其特征在于，所述金属纳米薄膜由Ti层和Pt层组成。

5.根据权利要求1所述的纳米薄膜温压复合传感器，其特征在于，所述应变电阻电连接有压力信号比较电路。

6.根据权利要求1所述的纳米薄膜温压复合传感器，其特征在于，所述NiCrS应变层的厚度为200nm~300nm。

7.根据权利要求1所述的纳米薄膜温压复合传感器，其特征在于，所述NiCrS应变层连接有焊接层。

8.根据权利要求1所述的纳米薄膜温压复合传感器，其特征在于，所述芯体表面还设有绝缘层。

9.一种制备如权利要求1至8任一项所述的纳米薄膜温压复合传感器的方法，其特征在于，包括以下步骤：

在所述芯体表面沉积所述应变电阻和所述温敏电阻。

10.一种如权利要求1至8任一项所述的纳米薄膜温压复合传感器在温度和压力测量中的应用。