[发明专利]一种光子器件优化的方法、装置、存储介质及电子设备

权利要求书

1.一种光子器件优化的方法，其特征在于，包括：

确定光子器件的待优化区域，所述待优化区域由各传导单元排列组成；

初始化所述待优化区域中的各传导单元对应的相对介电常数；

对所述待优化区域进行光学仿真，得到所述待优化区域对应的仿真结果，并根据所述待优化区域对应的仿真结果，更新各传导单元对应的相对介电常数，得到各传导单元对应的更新后相对介电常数；

确定所述更新后相对介电常数位于设定相对介电常数范围内的传导单元，作为待优化传导单元；

若确定所述待优化传导单元的数量大于设定数量阈值，根据所述待优化传导单元对应的更新后相对介电常数，确定所述待优化传导单元对应的原始材料；

针对每个待优化传导单元，在光学仿真过程中，对该待优化传导单元对应的原始材料进行模拟替换，确定所述待优化区域在模拟替换该待优化传导单元对应的原始材料后的性能指标，作为目标性能指标；

以最大化所述目标性能指标为优化目标，对所述光子器件进行优化。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述待优化区域进行光学仿真，得到所述待优化区域对应的仿真结果，并根据所述待优化区域对应的仿真结果，更新各传导单元对应的相对介电常数，得到各传导单元对应的更新后相对介电常数，具体包括：

对所述待优化区域进行正向仿真，得到各传导单元对应的正向光场以及所述待优化区域对应的性能指标，并对所述待优化区域进行伴随仿真，得到各传导单元对应的伴随光场；

针对每个传导单元，根据该传导单元对应的正向光场以及该传导单元对应的伴随光场，确定该传导单元对应的梯度；

若确定所述待优化区域对应的性能指标不满足设定条件，则根据各传导单元对应的梯度，更新各传导单元对应的相对介电常数，确定各传导单元对应的更新后相对介电常数。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述传导单元由各仿真网格组成；

对所述待优化区域进行正向仿真，得到各传导单元对应的正向光场，并对所述待优化区域进行伴随仿真，得到各传导单元对应的伴随光场，具体包括：

对所述待优化区域进行正向仿真，得到各仿真网格对应的正向光场，并对所述待优化区域进行伴随仿真，得到各仿真网格对应的伴随光场；

针对每个传导单元，根据该传导单元对应的正向光场以及该传导单元对应的伴随光场，确定该传导单元对应的梯度，具体包括：

针对每个仿真网格，根据该仿真网格对应的正向光场以及该仿真网格对应的伴随光场，确定该仿真网格对应的梯度；

针对每个传导单元，根据该传导单元中的各仿真网格对应的梯度，确定该传导单元对应的梯度。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，初始化所述待优化区域中的各传导单元对应的相对介电常数，具体包括：

初始化所述待优化区域中的各传导单元对应的参数；

根据所述各传导单元对应的参数、偏置系数以及各材料对应的相对介电常数，确定各传导单元对应的相对介电常数。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，确定所述更新后相对介电常数位于设定相对介电常数范围内的传导单元，作为待优化传导单元，具体包括：

根据各传导单元对应的更新后相对介电常数，确定各传导单元对应的更新后参数；

若确定所述待优化区域对应的性能指标满足设定条件，则对所述偏置系数进行调整，得到调整后的偏置系数；

根据各传导单元对应的更新后参数、所述调整后的偏置系数以及各材料对应的相对介电常数，确定各传导单元对应的调整后相对介电常数；

确定所述调整后相对介电常数位于设定相对介电常数范围内的传导单元，作为待优化传导单元。