[发明专利]用于储能电容器的亚纳米材料-聚合物复合电介质薄膜及其制备方法和应用在审
申请号: | 202310074453.8 | 申请日: | 2023-01-13 |
公开(公告)号: | CN115985687A | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 沈洋;杨敏铮;王训;任伟斌;李昊阳;袁丰;南策文 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01G4/20 | 分类号: | H01G4/20;H01G4/33;H01G13/00 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 黄德海 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 电容器 纳米 材料 聚合物 复合 电介质 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种用于储能电容器的亚纳米材料-聚合物复合电介质薄膜,其特征在于,包括聚醚酰亚胺和亚纳米材料,所述亚纳米材料至少有一个维度上的尺寸低于1nm。
2.根据权利要求1所述的薄膜,其特征在于,所述亚纳米材料的表面接枝有表面活性剂;
任选地,表面活性剂占亚纳米材料的质量分数为30%~70%;
任选地,所述亚纳米材料包括亚纳米片和亚纳米线中的至少之一。
3.根据权利要求2所述的薄膜,其特征在于,所述表面活性剂的碳原子数不大于二十;
任选地,所述表面活性剂包括油酸、油胺、十八酸和十八胺中的至少之一;
任选地,所述亚纳米片包括氧化铜-磷钼酸亚纳米片、氧化锌-多酸亚纳米片和氧化铜-磷钼酸-银亚纳米片中的至少之一;
任选地,所述亚纳米线包括羟基磷灰石亚纳米线、氧化铋-多酸亚纳米线、钙-多酸亚纳米线和氧化钼亚纳米线中的至少之一。
4.根据权利要求1或2所述的薄膜,其特征在于,所述聚醚酰亚胺在所述复合电介质薄膜中的质量分数不小于99%,所述亚纳米材料在所述复合电介质薄膜中的质量分数不大于1%。
5.根据权利要求1或2所述的薄膜,其特征在于,所述复合电介质薄膜厚度为5μm~20μm。
6.一种制备权利要求1-5中任一项所述薄膜的方法,其特征在于,包括:
(1)将聚醚酰亚胺和有机溶剂混合加热搅拌,以便得到聚醚酰亚胺溶液;
(2)将亚纳米材料和所述聚醚酰亚胺溶液混合,以便得到混合溶液;
(3)将所述混合溶液分散处理,以便得到铸膜液;
(4)将所述铸膜液施加在基片上,以便得到湿膜;
(5)对所述湿膜进行热处理,以便得到复合电介质薄膜。
7.根据权利要求6所述方法,其特征在于,步骤(1)中,所述聚醚酰亚胺溶液的固含量为100mg/ml~200mg/ml;
任选地,有机溶剂包括N,N-二甲基甲酰胺和N-甲基吡咯烷酮中的至少之一;
任选地,所述加热的温度为60℃~100℃。
8.根据权利要求6所述方法,其特征在于,步骤(3)按照下列步骤进行:将所述混合溶液置于搅拌机中加热至60℃~100℃,搅拌6~12小时,然后再将所述混合溶液在细胞粉碎仪中超声分散25~40分钟,以便得到铸膜液。
9.根据权利要求6所述方法,其特征在于,步骤(5)按照下列步骤进行:将所述湿膜先置于真空烘箱中在30℃~50℃下处理4~8h,然后再转移至鼓风烘箱中在150℃~250℃下处理3h~6h。
10.一种储能电容器,其特征在于,包括权利要求1-5中任一项所述薄膜或采用权利要求6-9中任一项所述方法制备的薄膜。
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