[发明专利]显示装置的制造方法

权利要求书

1.一种显示装置的制造方法，其中，准备在基板的上方形成有下电极、具有与所述下电极重叠的开口的肋部、和隔壁的处理基板，其中，所述隔壁包含配置在所述肋部之上的下部及配置在所述下部之上并从所述下部的侧面突出的上部，

形成覆盖所述下电极的第1有机层、和与所述第1有机层分离并位于所述上部之上的第2有机层，

形成覆盖所述第1有机层并与所述下部相接的第1上电极、和与所述第1上电极分离并位于所述第2有机层之上的第2上电极，

形成所述第1上电极、和位于所述第2上电极之上的封固层，

形成覆盖所述封固层的一部分的抗蚀剂，

以所述抗蚀剂为掩模进行各向异性干式蚀刻，减小从所述抗蚀剂露出的所述封固层的膜厚，

以所述抗蚀剂为掩模进行各向同性干式蚀刻，将从所述抗蚀剂露出的所述封固层除去。

2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，在进行所述各向异性干式蚀刻之前，所述上部与所述抗蚀剂之间的所述封固层的膜厚大于所述下部的膜厚。

3.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，在进行所述各向异性干式蚀刻之前，所述上部的正上方的所述抗蚀剂的宽度大于从所述侧面突出的所述上部的宽度，且小于所述上部的总宽度。

4.根据权利要求3所述的显示装置的制造方法，其中，所述抗蚀剂的宽度为1μm以上。

5.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，所述各向异性干式蚀刻进行规定时间，

所述各向同性干式蚀刻进行至检测到端点为止。

6.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，所述各向同性干式蚀刻的处理时间比所述各向异性干式蚀刻的处理时间短。

7.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，进行所述各向异性干式蚀刻的腔室内的压力小于进行所述各向同性干式蚀刻的腔室内的压力。

8.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，进行所述各向异性干式蚀刻时供所述处理基板配置的载置台的偏置功率大于进行所述各向同性干式蚀刻时供所述处理基板配置的载置台的偏置功率。

9.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，被导入至进行所述各向异性干式蚀刻的腔室内的氟系气体的流量比被导入至进行所述各向同性干式蚀刻的腔室内的氟系气体的流量小。

10.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，在形成所述封固层之前，进一步形成位于所述第1上电极之上的第1盖层、和与所述第1盖层分离并位于所述第2上电极之上的第2盖层。

11.根据权利要求10所述的显示装置的制造方法，其中，在将所述封固层除去后，进一步以所述抗蚀剂为掩模进行蚀刻，将所述第2盖层的一部分、所述第2上电极的一部分及所述第2有机层的一部分除去。