[发明专利]射频处理系统在审
| 申请号: | 202310066444.4 | 申请日: | 2023-01-29 |
| 公开(公告)号: | CN116328188A | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
| 发明(设计)人: | 于昊;李天民;郭云开;王晓青;张叔奇 | 申请(专利权)人: | 威脉清通医疗科技(无锡)有限公司 |
| 主分类号: | A61N1/40 | 分类号: | A61N1/40;A61N1/02;A61N1/04 |
| 代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 贾卿芸 |
| 地址: | 214101 江苏省无锡市锡山*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 射频 处理 系统 | ||
1.一种射频处理系统,其特征在于,所述系统包括:手柄、电极组件、冷却组件、控制器,其中,
所述电极组件安装于所述手柄,用于向目标区域提供射频,所述目标区域包括至少一层组织,各所述组织的中心温度对应的深度不同;
所述冷却组件用于为所述电极组件降低温度;
控制面板,与所述控制器连接,用于响应于针对目标深度的调节操作,向所述控制器传输对应的调节指令,所述目标深度为目标组织的中心温度对应的深度,所述目标组织为所述目标区域中的任一层所述组织;
所述控制器分别与所述电极组件和所述冷却组件连接,所述控制器用于根据所述调节指令,调节所述电极组件的输出参数,和/或调节所述冷却组件的冷却参数。
2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述冷却参数包括制冷时长和/或制冷量。
3.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述输出参数包括输出功率和/或脉冲时间和/或射频频率。
4.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述冷却组件包括:
半导体制冷器件,设置于所述电极组件远离所述目标对象的一侧,且与所述控制器连接,所述控制器用于响应于所述调节指令向所述半导体制冷器件输出对应的电流信号,所述半导体制冷器件用于响应于所述电流信号为所述电极组件降温。
5.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述冷却组件包括:冷喷头、冷喷开关、冷媒管和冷媒罐,其中,
所述冷媒罐设置于所述控制器内,通过所述冷媒管与所述冷喷头连接,所述冷媒罐用于通过所述冷媒管向所述冷喷头提供所述冷却源;
所述冷喷头设置于所述电极组件远离所述目标区域的一侧,用于喷出所述冷却源以使所述电极组件降温;
所述冷喷开关设置于所述冷媒管上,并与所述控制器连接,用于响应于所述控制器的控制操作,控制所述冷媒管的开启和关闭。
6.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,在所述目标深度为第一深度的情况下,所述控制面板用于响应于针对所述目标深度的调节操作,向所述控制器传输对应的第一调节指令,所述控制器用于响应于所述第一调节指令,执行对应的第一调节操作,所述第一调节操作包括降低所述电极组件的输出功率、缩短所述电极组件输出的脉冲时间、缩短所述冷却组件的制冷时长、降低所述冷却组件的制冷量中的至少一项。
7.根据权利要求6所述的系统,其特征在于,在所述目标深度为第二深度的情况下,所述控制面板用于响应于针对所述目标深度的调节操作,向所述控制器传输对应的第二调节指令,所述控制器用于响应于所述第二调节指令,执行对应的第二调节操作,所述第二调节操作包括增加所述电极组件的输出功率、延长所述电极组件输出的脉冲时间、延长所述冷却组件的制冷时长、增大所述冷却组件的制冷量中的至少一项,所述第二深度大于所述第一深度。
8.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述系统还包括:
温度传感器,设置于所述电极组件远离所述目标区域的一侧,且与所述控制器连接,所述温度传感器用于测量所述电极组件的温度,并将所述电极组件的温度发送给所述控制器;
所述控制器还用于根据所述电极组件的温度,调节所述冷却组件的冷却参数,以将所述电极组件的温度调节到所述目标深度对应的目标温度。
9.根据权利要求1或8所述的系统,其特征在于,所述系统还包括:
阻抗传感器,设置于所述电极组件上,并与所述控制器连接,所述阻抗传感器用于测量所述目标区域的阻抗值信号,并将所述阻抗值信号发送给所述控制器;
所述控制器还用于根据所述阻抗值信号确定所述电极组件的输出参数,和/或确定所述冷却组件的冷却参数。
10.根据权利要求9所述的系统,其特征在于,所述系统还包括:
功率传感器,设置于所述控制器和所述电极组件的连接电路中,用于测量所述电极组件的输出功率,并将所述输出功率发送给所述控制器;
所述控制器还用于根据所述阻抗值信号和所述输出功率,确定所述电极组件的输出参数,和/或确定所述冷却组件的冷却参数。
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