[发明专利]一种非晶合金制件快速成型方法及非晶合金制件

权利要求书

1.一种非晶合金制件快速成型方法，其特征在于，包括如下步骤：

S01、取非晶铸锭，制成板条状的初始预制件；

S02、对所述初始预制件通电升温至软化温度，所述初始预制件的升温曲线不与非晶合金TTT曲线相切或者相交，制成半固态预制件；

S03、利用锻模对所述半固态预制件进行压合成型，降至室温后得到所需非晶合金制件，所述非晶合金制件的降温曲线不与非晶合金TTT曲线相切或者相交。

2.根据权利要求1所述的非晶合金制件快速成型方法，其特征在于，S01中，所述初始预制件厚度为0.1~3.0mm、导电截面面积≥120mm²。

3.根据权利要求1所述的非晶合金制件快速成型方法，其特征在于，S01中，所述初始预制件截面为长方形，且长宽比≥1.5。

4.根据权利要求1所述的非晶合金制件快速成型方法，其特征在于，S02中，所述软化温度高于所述非晶合金的玻璃转化点温度、低于所述非晶合金的熔点。

5.根据权利要求4所述的非晶合金制件快速成型方法，其特征在于，所述非晶合金为锆基非晶合金，所述软化温度为480~800℃。

6.根据权利要求1所述的非晶合金制件快速成型方法，其特征在于，S02中，所述初始预制件的通电升温的时间为0.01-0.5s。

7.根据权利要求6所述的非晶合金制件快速成型方法，其特征在于，S02中，所述初始预制件的通电电流I通过以下公式进行计算：

I=，

其中，I为通电电流，单位为A；Q为升温所需的能量，单位为J；K为电源效率，根据所使用的通电电源选择，取0.18~0.35之间的数值；R为所述初始预制件的电阻，单位为Ω；T为通电升温的时间，单位为s；

其中Q通过以下公式进行计算：

Q=C·M·（T_d - T_r）

其中，C为所述非晶合金的比热容，单位为J/mol·K；M为所述初始预制件的物质的量，单位为mol；T_d为软化温度，单位为K；T_r为室温，单位为K。

8.根据权利要求1所述的非晶合金制件快速成型方法，其特征在于，S03中，利用锻模对所述半固态预制件进行压合成型的时间≤2s；所述压合成型的环境温度高于所述非晶合金的玻璃转化点温度、低于所述非晶合金的熔点。

9.根据权利要求1-8人员所述的非晶合金制件快速成型方法，其特征在于，步骤S02、S03均在惰性气氛中进行。

10.非晶合金制件，由权利要求9所述的快速成型方法制成。