[发明专利]高性能可集成全陶瓷基超材料完美吸收器

权利要求书

1.一种高性能可集成全陶瓷基超材料完美吸收器，包括陶瓷谐振单元阵列，所述陶瓷谐振单元阵列包括陶瓷谐振单元；若干个陶瓷谐振单元呈矩阵分布。

2.根据权利要求1所述的高性能可集成全陶瓷基超材料完美吸收器，其特征在于：

所述陶瓷谐振单元由一块具有正交立方体结构的温度稳定型介质陶瓷构成，根据等效电路模型，其等效电阻R的表达式为：

式中，Q为完美吸收频点处陶瓷的损耗角正切值的倒数；L为陶瓷谐振单元长边的长度；S为陶瓷谐振单元的横截面积，S＝h×r，h为陶瓷谐振单元的高，r为陶瓷谐振单元短边的长度；ω为完美吸收频点；ε₀为真空介电常数；ε_r为陶瓷的相对介电常数。

3.根据权利要求2所述的高性能可集成全陶瓷基超材料完美吸收器，其特征在于：设置所述陶瓷谐振单元的L＝3.6mm；h＝1.125mm，r＝1.57mm。

4.根据权利要求2所述的高性能可集成全陶瓷基超材料完美吸收器，其特征在于：形成所述陶瓷谐振单元的陶瓷材料的相对介电常数ε_r为45-100，形成所述陶瓷谐振单元的陶瓷材料的品质因数Qf值为4000-10000GHz。

5.根据权利要求2-4中任一项所述的高性能可集成全陶瓷基超材料完美吸收器，其特征在于：得到合适的R值后，通过调控耦合间距d，则超材料周期为L+d，可诱导陶瓷谐振单元阵列获得完美吸收特性。

6.根据权利要求5所述的高性能可集成全陶瓷基超材料完美吸收器，其特征在于：调控耦合间距d为0.1-0.2mm。

7.根据权利要求6所述的高性能可集成全陶瓷基超材料完美吸收器，其特征在于：调控耦合间距d为0.12mm。