[发明专利]一种用于生产电子级多晶硅的涂层流化床反应器

权利要求书

1.一种用于生产电子级多晶硅的涂层流化床反应器，其特征在于，所述涂层流化床反应器包括反应器腔体；所述反应器腔体内设置反应区；所述反应区内设置有内衬，所述内衬表面涂覆中间涂层，所述中间涂层内壁表面涂覆硅涂层。

2.根据权利要求1所述的一种用于生产电子级多晶硅的涂层流化床反应器，其特征在于，所述涂层流化床反应器反应器腔体底部分别设置有第一原料气进气口、第二原料气进气口以及产品出口；所述反应器腔体中部还设置有冷却气入口，塔顶设置有尾气出口；所述第一原料气进气口、第二原料气进气口通过气体分布器与反应器腔体底连接。

3.根据权利要求1所述的一种用于生产电子级多晶硅的涂层流化床反应器，其特征在于，所述反应区内衬为等静压石墨内筒。

4.根据权利要求3所述的一种用于生产电子级多晶硅的涂层流化床反应器，其特征在于，等静压石墨热膨胀系数为3.8～6.0×10⁶m/K；灰分为低于300ppm；热导率为90～120W/m-K；电阻率为12～16Ω·m；抗压强度为70Mpa～100Mpa；抗折强度为34Mpa～50Mpa。

5.根据权利要求3所述的一种用于生产电子级多晶硅的涂层流化床反应器，其特征在于，所述等静压石墨内筒分为9节。

6.根据权利要求5所述的一种用于生产电子级多晶硅的涂层流化床反应器，其特征在于，所述反应区由下部低效反应区、中部高效反应区、上部过渡反应区组成。

7.根据权利要求7所述的一种用于生产电子级多晶硅的涂层流化床反应器，其特征在于，所述下部低效反应区对应2节等静压石墨内筒；所述下部低效反应区的等静压石墨内筒石墨热膨胀系数为3.8～4.8×10⁶m/K。

8.根据权利要求7所述的一种用于生产电子级多晶硅的涂层流化床反应器，其特征在于，所述中部高效反应区对应5节等静压石墨内筒；所述中部低效反应区的等静压石墨内筒石墨热膨胀系数为4.8～5.5×10⁶m/K。

9.根据权利要求7所述的一种用于生产电子级多晶硅的涂层流化床反应器，其特征在于，所述上部过渡反应区2节等静压石墨内筒；所述上部低效反应区的等静压石墨内筒石墨热膨胀系数为5.5～6.0×10⁶m/K。

10.根据权利要求1所述的一种用于生产电子级多晶硅的涂层流化床反应器，其特征在于，所述中间涂层优先为碳化硅涂层、氮化硅涂层、碳纤维涂层、复合材料涂层中的一种。

11.根据权利要求10所述的一种用于生产电子级多晶硅的涂层流化床反应器，其特征在于，所述碳化硅涂层的抗压强度优选为450～500Mpa、抗折强度优选为230Mpa～300Mpa、努氏硬度优选为2000～3000kg/mm²、表面光滑度Ra优选为2.5～3.2μm、涂层厚度优选为50～300μm。

12.根据权利要求1所述的一种用于生产电子级多晶硅的涂层流化床反应器，其特征在于，所述硅涂层的厚度优选为10～300μm。