[发明专利]一种抗静电的保护膜在审
申请号: | 202310017176.7 | 申请日: | 2023-01-06 |
公开(公告)号: | CN115948126A | 公开(公告)日: | 2023-04-11 |
发明(设计)人: | 封霞辉 | 申请(专利权)人: | 深圳市云启科技有限公司 |
主分类号: | C09J7/24 | 分类号: | C09J7/24;C09D5/24;C09J7/30;C09J133/04;C09J11/00 |
代理公司: | 北京鼎德宝专利代理事务所(特殊普通合伙) 11823 | 代理人: | 邵美令 |
地址: | 518109 广东省深圳市龙*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 抗静电 保护膜 | ||
本发明属于保护膜技术领域,具体为一种抗静电的保护膜,包括:基膜层、胶水层与抗静电层;其中,所述胶水层与抗静电层设置在基膜层的两侧表面上,该抗静电的保护膜还包括隔离膜层,所示隔离膜层覆盖在胶水层上,所述基膜层为软性聚氯乙烯膜、聚烯烃膜、聚乙烯膜或聚丙烯膜,所述基膜层为软性聚氯乙烯膜,所述胶水层采用丙烯酸橡胶,特丙烯酸橡胶与聚氯乙烯膜组合后,能够抵挡聚氯乙烯膜中的小分子迁移,丙烯酸橡胶的剥离粘性会更加稳定;丙烯酸橡胶中添加盐类的抗静电剂。粘性稳定,在转移过程中不会出现无法转移导致不良率的升高,另一个是具有低的表面电阻与剥离静电效果,使用过程中不会产品明显的静电,不会对产品造成破坏。
技术领域
本发明涉及保护膜技术领域,具体为一种抗静电的保护膜。
背景技术
半导体元器件,特别是发光半导体元器件(简称LED)在加工过程中经常需要进行LED芯片进行转移,此时需要一款低粘性的保护膜。目前使用的保护膜普遍存在粘性不稳定,转移时不良率高的问题。并且由于LED产品对于使用过程中的静电有要求,过大的静电会击穿电极导致产品无法使用,目前使用的保护膜有的没有该作用。
发明内容
本发明的目的在于提供一种抗静电的保护膜,以解决上述背景技术中提出的目前使用的保护膜有的没有抗静电作用的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种抗静电的保护膜,包括:
基膜层、胶水层与抗静电层;
其中,所述胶水层与抗静电层设置在基膜层的两侧表面上。
进一步地,该抗静电的保护膜还包括隔离膜层,所示隔离膜层覆盖在胶水层上。
进一步地,所述基膜层为软性聚氯乙烯膜、聚烯烃膜、聚乙烯膜或聚丙烯膜。
进一步地,所述基膜层为软性聚氯乙烯膜。
进一步地,所述胶水层采用丙烯酸橡胶,特丙烯酸橡胶与聚氯乙烯膜组合后,能够抵挡聚氯乙烯膜中的小分子迁移,丙烯酸橡胶的剥离粘性会更加稳定;
丙烯酸橡胶中添加盐类的抗静电剂,改善产品的剥离静电。
进一步地,所述抗静电层、基膜层之间涂敷有背涂层,所述背涂层选择硅类或者长链烷烃类的背涂层,在背涂层内添加碳纳米管的抗静电剂,改善产品的解卷的抗静电效果。
进一步地,所述抗静电层选择聚噻吩类的抗静电剂。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
粘性稳定,在转移过程中不会出现无法转移导致不良率的升高,另一个是具有低的表面电阻与剥离静电效果,使用过程中不会产品明显的静电,不会对产品造成破坏。
附图说明
图1为本发明结构示意图。
图中:1隔离膜层、2胶水层、3基膜层、4抗静电层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
实施例:
请参阅图1,本发明提供一种技术方案:一种抗静电的保护膜,包括:
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