[发明专利]一种晶圆激光切割方法及晶圆

说明书

本发明公开了一种晶圆激光切割方法及晶圆，属于半导体加工技术领域，包括：对载片和/或晶圆进行热氧生长；对载片进行划片开槽处理；对载片、晶圆进行键合处理、退火处理，得到键合片；对键合片进行背面金属沉积得到金属层，并进行激光退火；对键合片进行背面开槽处理；对键合片进行解键合处理；对晶圆进行正面激光划片处理。本发明在晶圆、载片键合处理前对载片进行开槽处理，保证后续键合退火过程中，水分子能充分溢出，确保键合质量；同时，还对键合片进行退火处理，消除了内应力影响，配合高强度键合片，能够保证后续制程的稳定性，避免了晶圆裂片风险。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种晶圆激光切割方法及晶圆。

背景技术

随着半导体的更新迭代，作为三代半导体代表的碳化硅(Silicon Carbide，SiC)材料凭借其宽禁带、高电子迁移率以及高热导性正逐渐在功率器件领域被广泛应用。功率器件领域所关注核心参数之一即为器件在导通下的电阻。在设计生产中，需要在保证器件浪涌、耐压、可靠性、成本等条件下尽量将器件的导通电阻做小。因此，在生产制造过程中减薄工艺应运而生。此外，由于碳化硅材料硬度较高，采用传统砂轮划片会有制造工艺时间长，崩边机率大、良率低的缺点。因此，在SiC功率器件的制造工程中，采用激光的形式进行划片已越来越普遍。

在相关的工艺技术中，一般采用单片晶圆的形式进行减薄划片。对于6寸减薄厚度较少晶圆，采用上述形式出现风险的可能性较低。但是对于8寸超薄的SiC晶圆，采用单片晶圆减薄加激光划片的形式破片率会呈现大幅度上升。此外，对于超薄晶圆，在背面激光开口时，器件内会出现一定应力，在后续制程中会带来较大隐患。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的问题，提供一种晶圆激光切割方法及晶圆。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：一种晶圆激光切割方法，该方法包括以下步骤：

对载片和/或晶圆进行热氧生长；

对载片进行划片开槽处理；

对载片、晶圆进行键合处理、退火处理，得到键合片；

对键合片进行背面金属沉积得到金属层，并进行激光退火；

对键合片进行背面开槽处理；

对键合片进行解键合处理；

对晶圆进行正面激光划片处理。

在一示例中，所述背面开槽深度为晶圆厚度的1/10-1/5。

在一示例中，所述激光划片的厚度为晶圆厚度的3/5-7/10。

在一示例中，所述对载片进行划片开槽处理后还包括：

对晶圆进行修边处理以及退火处理。

在一示例中，所述对晶圆进行修边处理以及退火处理包括：

对晶圆进行多次修边或多次阶梯修边处理，每次修边或阶梯修边处理后进行低温退火处理。

在一示例中，所述对载片、晶圆进行键合处理、退火处理后还包括：

对键合片进行减薄处理。

在一示例中，所述对键合片进行减薄处理包括：

对键合片进行多次减薄处理，相邻两次减薄处理过程中磨轮旋转方向相反。

在一示例中，所述对键合片进行多次减薄处理时还包括：

每次减薄处理后进行一次退火处理，最后一次退火处理前进行抛光处理。

在一示例中，所述对键合片进行背面开槽处理前还包括：

对键合片背面进行开槽标记沉积。

需要进一步说明的是，上述方法各示例对应的技术特征可以相互组合或替换构成新的技术方案。