[实用新型]一种兼容NFC和WPC的纳米晶隔磁片

说明书

本实用新型属于纳米晶软磁材料技术领域，具体涉及一种兼容NFC和WPC的纳米晶隔磁片。所述纳米晶隔磁片包括WPC线圈对应区域和NFC线圈对应区域，WPC线圈对应区域由网格状分布的碎片构成，NFC线圈对应区域由设置有条状纹路割裂的网格状分布的碎片构成。本实用新型纳米晶隔磁片结构设置简单，以常规网格状破碎结构满足WPC性能要求，通过NFC特定区域局部刻条纹满足NFC性能要求，具有结构灵活易于实现，成本低，性能好的优势。

技术领域

本实用新型属于纳米晶软磁材料技术领域，具体涉及一种兼容NFC和WPC的纳米晶隔磁片。

背景技术

近年来，随着移动通信技术的发展，手机向更轻、更薄、多功能集成发展，越来越多的手机标配无线充电(WPC)和近场通讯(NFC)功能。WPC和NFC都是短距离无线电技术，通过两组耦合线圈实现电磁场能量和信息的交流。但它们功能侧重点有很大区别，WPC主要通过电磁场实现能量的传输转换，NFC主要通过电磁场实现信息的传输交流。它们的交变磁场频率大不相同，WPC工作频段一般为100kHz～205kHz(Qi无线充电标准)，NFC工作频率一般为13.56MHz。因WPC和NFC功能侧重点与应用频段不同，与其配套的磁屏蔽材料性能要求可能大不相同，WPC隔磁片要求100kHz下合适电感量、低损耗、抗饱和、磁屏蔽效果好，NFC要求13.56MHz下电感量适宜、低损耗。如今WPC一般使用铁基纳米晶作隔磁片，NFC一般使用铁氧体作隔磁片。故当手机需同时具备WPC和NFC功能时，对应两个线圈一般就得同时配备纳米晶和铁氧体两种隔磁片，这就增加了成本、也给手机轻薄化带来了挑战。

专利CN 112103642 A公开了一种磁场屏蔽片，其特征在于，其作为配置在中央部上形成有具有预定面积的中空部的天线的一面上的磁场屏蔽片，其包括：片本体，其由包括非晶合金及纳米晶粒合金中至少一种以上的多个带片以第一粘合层为介质层叠多层的多层片材形成；多个贯通部，其在与所述天线的中空部对应的对应区域贯通形成，以具有预定宽度和长度的线形形成；及多个裂隙，其以从所述贯通部的边缘向所述片本体侧延长的方式在所述对应区域形成。该方案有以下弊端：1.工艺复杂，贯通部的产生需要通过刀模分离出分离构件，在实际生产作业中，分离构件的排出会比较麻烦；2.分离构件排出后会造成磁片局部厚度不均匀，影响磁片的整体外观；3.贯通部的出现可能会造成磁片抗饱和特性下降、局部电感显著下降等不良影响，当同时具备WPC和NFC两种线圈时，难以实现两者兼容。

专利CN 107591238 A公开了一种磁性片，包括一个以上的磁性层，其中，所述磁性层包括多个第一方向裂线和多个第二方向裂线，由此通过所述第一方向裂线和所述第二方向裂线而被划分成多个磁性块，且包括磁性块的大小彼此不同的多个功能区域。该专利虽然可以通过大小彼此不同的磁性块实现多个功能区域，如无线充电(WPC)功能、近场通讯(NFC)功能、电子结算(MST)功能等，但其不同功能区域均需通过多个第一方向裂线和多个第二方向裂线划分而成，以多个第一方向裂线和多个第二方向裂线的不连续形态来实现不同功能区域，存在制备方法复杂，需要严格控制加工工艺，功能区域形状及位置调整不便的缺点。

在我们前期的专利CN 112712957 B中，通过先得到具有均匀纵向条状纹路割裂的纳米晶导磁薄片，然后标记出中心区域和外围屏蔽区域，再对外围屏蔽区域进行二次模压破碎以获得低于中心区域导磁薄片的磁导率，实现了在同一纳米晶导磁薄片上获得两种不同磁导率性能，以同时实现优良的无线充电和近场通讯功能。其具有结构及工艺控制简单、制备效率高、生产成本低、产品质量稳定的优点。然而通过实际的应用中发现，实现WPC功能和NFC功能的线圈不一定为规则图形，且有时存在WPC功能区域和NFC功能区域的交叉重叠，通过现有隔磁片结构设计及制备工艺已不能满足上述要求。

实用新型内容

针对以上现有技术存在的缺点和不足之处，本实用新型的目的在于提供一种兼容NFC和WPC的纳米晶隔磁片。

本实用新型目的通过以下技术方案实现：