[实用新型]一种三相改进型混合级联多电平逆变器拓扑结构有效

专利信息
申请号: 202223147904.6 申请日: 2022-11-27
公开(公告)号: CN218771809U 公开(公告)日: 2023-03-28
发明(设计)人: 颜景斌;王玺哲;许森洋 申请(专利权)人: 哈尔滨理工大学
主分类号: H02M7/483 分类号: H02M7/483;H02M7/5387;H02M1/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 一种 三相 改进型 混合 级联 电平 逆变器 拓扑 结构
【权利要求书】:

1.一种三相改进型混合级联多电平逆变器拓扑结构,其特征在于:包括三相级联H桥逆变器(Q)和一个三桥臂逆变器(E),总计18个IGBT,直流电压源V1、V2、V3、V4、负载R1、R2、R3;所述的三相级联H桥逆变器(Q)由12个IGBT组成包括第七个IGBT(S7)、第八个IGBT(S8)、第九个IGBT(S9)、第十个IGBT(S10)、第十一个IGBT(S11)、第十二个IGBT(S12)、第十三个IGBT(S13)、第十四个IGBT(S14)、第十五个IGBT(S15)、第十六个IGBT(S16)、第十七个IGBT(S17)、第十八个IGBT(S18);其连接方式为第七个IGBT(S7)的发射极与第八个IGBT(S8)的集电极连接构成一个桥臂;第九个IGBT(S9)的发射极与第十个IGBT(S10)的集电极连接构成另一个桥臂;直流电压源V2的一端分别与第七个IGBT(S7)、第九个IGBT(S9)的集电极连接;直流电压源V2的另一端分别与第八个IGBT(S8)、第十个IGBT(S10)的发射极连接,构成三相级联H桥逆变器(Q)的第一相;第十一个IGBT(S11)的发射极与第十二个IGBT(S12)的集电极连接构成一个桥臂;第十三个IGBT(S13)的发射极与第十四个IGBT(S14)的集电极连接构成另一个桥臂;直流电压源V3的一端分别与第十一个IGBT(S11)、第十三个IGBT(S13)的集电极连接;直流电压源V3的另一端分别与第十二个IGBT(S12)、第十四个IGBT(S14)的发射极连接,构成三相级联H桥逆变器(Q)的第二相;第十五个IGBT(S15)的发射极与第十六个IGBT(S16)的集电极连接构成一个桥臂;第十七个IGBT(S17)的发射极与第十八个IGBT(S18)的集电极连接构成另一个桥臂;直流电压源V4的一端分别与第十五个IGBT(S15)、第十七个IGBT(S17)的集电极连接;直流电压源V3的另一端分别与第十六个IGBT(S16)、第十八个IGBT(S18)的发射极连接,构成三相级联H桥逆变器(Q)的第三相。

2.根据权利要求1所述的一种三相改进型混合级联多电平逆变器拓扑结构,其特征在于所述的一个三桥臂逆变器(E)由6个IGBT组成包括第一个IGBT(S1)、第二个IGBT(S2)、第三个IGBT(S3)、第四个IGBT(S4)、第五个IGBT(S5)、第六个IGBT(S6);其连接方式为第一个IGBT(S1)的发射极与第二IGBT(S2)的集电极连接构成第一个桥臂;第三个IGBT(S3)的发射极与第四个IGBT(S4)的集电极连接构成第二个桥臂;第五个IGBT(S5)的发射极与第六个IGBT(S6)的集电极连接构成第三个桥臂;直流电压源V1的一端分别与第一个IGBT(S1)、第三个IGBT(S3)、第五个IGBT(S5)的集电极连接;直流电压源V1的另一端分别与第二个IGBT(S2)、第四个IGBT(S4)、第六个IGBT(S6)的发射极连接。

3.根据权利要求1所述的一种三相改进型混合级联多电平逆变器拓扑结构,其特征在于所述的一个三桥臂逆变器(E)的第一个桥臂与第九个IGBT(S9)与第十个IGBT(S10)构成桥臂级联;第二个桥臂与第十三个IGBT(S13)与第十四个IGBT(S14)构成的桥臂级联;第三个桥臂与第十七个IGBT(S17)与第十八个IGBT(S18)构成的桥臂级联。

4.根据权利要求1所述的一种三相改进型混合级联多电平逆变器拓扑结构,其特征在于所述的负载R1一端连接在第七个IGBT(S7)的发射极与第八个IGBT(S8)的集电极之间;负载R2一端连接在第十一个IGBT(S11)的发射极与第十二个IGBT(S12)的集电极之间;负载R3一端连接在第十五个IGBT(S15)的发射极与第十六个IGBT(S16)的集电极之间;三个负载的另一端相互并联后接地。

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